[发明专利]阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器技术领域，尤其涉及阵列基板及其制造方法。

背景技术

如图1和图2所示，TFT阵列基板包括设置在下基板上彼此交叉的栅极扫描线1和数据扫描线2，在栅极扫描线1和数据扫描线2交叉形成的每个区域内设置有TFT7、像素电极9和公共电极线16。TFT7的具体结构见图2示出的TFT剖面图，该TFT7包括与栅极扫描线1相连的栅极3、与数据扫描线2相连的源极4、与像素电极9相连的漏极5，其中漏极5通过接触孔8与像素电极9相连，并且源极4和漏极5之间设有沟道6。该TFT7还包括与栅极3重叠的半导体层13，在半导体层13上还形成有用于与源极4和漏极5形成电接触的掺杂半导体层14，半导体层13和掺杂半导体层14共同形成半导体。在栅极扫描线1上施加电压，使得TFT7的栅极3具有电压而使得TFT源极4和漏极5导通，这样施加在数据扫描线2上的像素电压就可以充入像素电极8并保持，使得像素电极9与液晶另外一面的公共电极之间形成电场从而控制液晶的透光率以显示图像。

如图2所示，栅极扫描线1、TFT7的栅极3和公共电极线16上形成有栅绝缘薄膜11。在制备出源极和漏极后形成钝化层12，其中的接触孔8就是穿过该钝化层12接触到漏极5的。TFT阵列基板和彩膜玻璃基板对盒后，为了进一步降低像素中的漏光，还可以在每个像素中平行于数据扫描线的两侧设置遮光条，一般遮光条与栅极扫描线及TFT的栅极在同一层上形成，只需要改变光刻所用的掩膜板，使得栅层上具有遮光条。

在实现使用上述阵列基板的过程中，发明人发现至少存在如下问题：由于TFT阵列基板上设置有很多数据扫描线和栅极扫描线，并且数据扫描线和栅极扫描线是交叉的，在数据扫描线和栅极扫描线交叉处、以及薄膜晶体管栅极和源/漏极会形成较大的寄生电容，导致输入到数据扫描线上的信号发生延迟。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制造方法，以减小输入到数据扫描线上的信号的延迟时长。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种阵列基板，包括基板，以及在基板上形成的栅极扫描线、数据扫描线、像素电极和薄膜晶体管，该薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线相连、源极与数据扫描线相连、漏极与像素电极相连；所述薄膜晶体管的栅极与源/漏极之间设有气体层；所述栅极扫描线与数据扫描线交叉处设有位于栅极扫描线和数据扫描线之间的气体层。

一种制造阵列基板的方法，包括：

(1)在基板上形成栅图案，该栅图案包括栅极扫描线、以及与栅极扫描线相连的栅极；

(2)在具有栅图案的基板上沉积栅极绝缘薄膜；

(3)在栅极绝缘薄膜上形成与薄膜晶体管的栅极重叠的溶解层、以及与栅极扫描线和数据扫描线交叉处重叠的溶解层；

(4)在所述具有溶解层的基板上形成源/漏金属薄膜；

(5)在所述源/漏金属薄膜上刻蚀出源/漏图案、并将刻蚀掉所述溶解层，该源/漏图案包括与栅极扫描线交叉的数据扫描线、薄膜晶体管的源极和漏极；

(6)形成连接到薄膜晶体管的漏极的像素电极；

(7)对应于所述源/漏极形成有源薄膜图案，该有源薄膜图案包括依次形成的具有沟道的掺杂半导体层、半导体层。

一种制造阵列基板的方法，包括：

(1)在基板上形成栅图案，该栅图案包括栅极扫描线、以及与栅极扫描线相连的栅极；

(2)在具有栅图案的基板上沉积栅极绝缘薄膜；

(3)在栅极绝缘薄膜上形成与薄膜晶体管的栅极重叠的有源薄膜图案；

(4)形成与所述有源薄膜图案重叠的溶解层、以及与栅极扫描线和数据扫描线交叉处重叠的溶解层；

(5)在所述具有溶解层的基板上形成源/漏金属薄膜；

(6)在所述源/漏金属薄膜上刻蚀出源/漏图案、并将刻蚀掉所述溶解层，该源/漏图案包括与栅极扫描线交叉的数据扫描线、薄膜晶体管的源极和漏极；

(7)在形成源/漏图案的基板上形成具有接触孔的钝化薄膜，该接触孔露出薄膜晶体管的漏极；

(8)形成经所述接触孔连接到薄膜晶体管的漏极的像素电极。