[发明专利]一种复合存储介质浮栅存储器结构及其制作方法

权利要求书

1.一种复合存储介质浮栅存储器结构，其特征在于，该结构由下至上依次包括硅衬底、隧穿介质层、氮化硅、硅纳米晶、高温氧化物、多晶硅层和在硅衬底上刻蚀形成的栅和源/漏区，以及在二氧化硅层上刻蚀形成的侧墙。

2.根据权利要求1所述的复合存储介质浮栅存储器结构，其特征在于，所述隧穿介质层为二氧化硅，厚度小于或等于40埃。

3.根据权利要求1所述的复合存储介质浮栅存储器结构，其特征在于，所述氮化硅和硅纳米晶构成复合存储介质，氮化硅的厚度为3～4nm。

4.根据权利要求1所述的复合存储介质浮栅存储器结构，其特征在于，所述高温氧化物的厚度为7～12nm，所述多晶硅层的厚度为150～300nm。

5.一种复合存储介质浮栅存储器结构的制作方法，其特征在于，该方法包括：

步骤1：在硅衬底上生长一层二氧化硅；

步骤2：在二氧化硅上生长一层氮化硅；

步骤3：对氮化硅表面进行预处理，然后在氮化硅表面淀积一层硅纳米晶；

步骤4：在硅纳米晶上淀积一层高温氧化物；

步骤5：在高温氧化物上淀积一层多晶硅，然后再一步刻蚀到硅衬底形成栅和源/漏区；

步骤6：采用高密度等离子体淀积一层二氧化硅，再各向异性刻蚀出侧墙；

步骤7：最后再做出源/漏区，引出电极。

6.根据权利要求5所述的复合存储介质浮栅存储器结构的制作方法，其特征在于，步骤1中所述在硅衬底上生长一层二氧化硅采用热氧化方法实现，步骤2中所述在二氧化硅上生长一层氮化硅采用LPCVD方法实现，氮化硅的厚度为3～4nm。

7.根据权利要求5所述的复合存储介质浮栅存储器结构的制作方法，其特征在于，步骤3中所述对氮化硅表面进行预处理采用稀释的氢氟酸，在氮化硅表面淀积一层硅纳米晶采用LPCVD方法实现，淀积硅纳米晶所用气体为硅烷。

8.根据权利要求5所述的复合存储介质浮栅存储器结构的制作方法，其特征在于，步骤4中所述在硅纳米晶上淀积一层高温氧化物采用LPCVD方法实现，高温氧化物的厚度为7～12nm。

9.根据权利要求5所述的复合存储介质浮栅存储器结构的制作方法，其特征在于，步骤5中所述在高温氧化物上淀积一层多晶硅采用LPCVD方法实现，多晶硅的厚度为150～300nm。

10.根据权利要求5所述的复合存储介质浮栅存储器结构的制作方法，其特征在于，步骤6中所述淀积二氧化硅的厚度为400～600nm。