[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法和液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器结构及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵 列基板及其制造方法和液晶显示器。

背景技术

在平板显示技术中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射和 制造成本相对较低等特点，因此在平板显示器市场占据了主导地位。

TFT-LCD的主体结构是由阵列基板和彩膜基板对盒并在其中注入液晶而 形成的。阵列基板上形成有栅线、数据线、公共电极线以及以矩阵方式排列 的薄膜晶体管和像素电极，栅线和数据线定义了像素区域，薄膜晶体管和像 素电极形成在每个像素区域内。彩膜基板(也称彩色滤光片，Color Filter) 上形成有黑矩阵、彩色树脂和公共电极，彩色树脂包括红色、蓝色和绿色三 色树脂，彩膜基板上设置黑矩阵的主要目的是隔离彩色树脂，同时遮挡漏光 区域的光线。此外，在间隔一个或数个彩色树脂的距离上，均匀设置有柱状 隔垫物，柱状隔垫物用于保持对盒后阵列基板和彩膜基板之间的距离。

目前，现有技术的TFT-LCD通常将柱状隔垫物设置在彩膜基板上，且其 位置与薄膜晶体管位置相对应，对盒后，柱状隔垫物的端部与阵列基板的薄 膜晶体管接触。由于该接触位置属于阵列基板的最高位置，当阵列基板或彩 膜基板受到挤压或冲击时，柱状隔垫物会自动向较低位置移动，并且很难回 复到原有位置，因此现有技术这种结构很容易导致阵列基板与彩膜基板错位， 进而引发漏光、接触水印(Touch Mura)等显示缺陷。此外，现有技术形成 柱状隔垫物的工艺是先形成彩膜结构图形或阵列结构图形，然后再通过构图 工艺形成柱状隔垫物，存在制备工艺步骤多、效率较低等缺陷。

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法和液晶显示 器，有效解决现有技术因柱状隔垫物位置移动引发漏光等技术缺陷。

为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在 基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极 和薄膜晶体管，所述栅线和数据线的交叠处形成有柱状隔垫物。

所述柱状隔垫物的端部顶设在彩膜基板上形成的凹部区域内。

所述柱状隔垫物与像素电极在同一次构图工艺中形成，所述柱状隔垫物 由位于下层的透明导电薄膜和位于上层的光刻胶组成。

为了实现上述目的，本发明提供了一种液晶显示器，包括对盒的阵列基 板和彩膜基板，所述阵列基板包括栅线和数据线，所述彩膜基板包括黑矩阵， 并在黑矩阵的所在位置形成凹部区域，所述栅线和数据线的交叠处形成有柱 状隔垫物，所述柱状隔垫物的端部顶设在所述凹部区域内。

所述柱状隔垫物与像素电极在同一次构图工艺中形成，所述柱状隔垫物 由位于下层的透明导电薄膜和位于上层的光刻胶组成。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法， 包括：

步骤10、在基板上形成栅线、栅电极、数据线、漏电极、源电极、TFT 沟道和钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔位于漏电极的上方；

步骤20、在完成步骤10的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形 成包括像素电极和柱状隔垫物的图形，所述像素电极通过钝化层过孔与漏电 极连接，所述柱状隔垫物位于栅线和数据线的交叠处。

所述步骤10可以包括：

步骤11、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅电 极的图形；

步骤12、在完成步骤11的基板上沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半 导体薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括数据线、漏电极、源电极 和TFT沟道的图形；

步骤13、在完成步骤12的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成包括 钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔位于漏电极的上方。

所述步骤10也可以包括：

步骤21、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅电 极的图形；

步骤22、在完成步骤21的基板上沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半 导体薄膜，通过构图工艺形成包括有源层的图形；