[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法和液晶显示器

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤10、在基板上形成栅线、栅电极、数据线、漏电极、源电极、TFT 沟道和钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔位于漏电极的上方；

步骤20、在完成步骤10的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形 成包括像素电极和柱状隔垫物的图形，所述像素电极通过钝化层过孔与漏电 极连接，所述柱状隔垫物位于栅线和数据线的交叠处；

所述步骤20包括：

在完成步骤10的基板上，采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积透明导电 薄膜；

在透明导电薄膜上涂覆一层光刻胶；

采用半色调或灰色调掩模板曝光，使光刻胶形成光刻胶完全保留区域、 光刻胶完全去除区域和光刻胶半保留区域，光刻胶完全保留区域对应于柱状 隔垫物图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于像素电极图形所在区域，光 刻胶完全去除区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保 留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除， 光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变薄；

通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的透明导电薄膜；

通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，形成像素电极和柱状隔 垫物图形，所述像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接，所述柱状隔垫物位 于栅线和数据线的交叠处，由位于下层的透明导电薄膜和位于上层的光刻胶 组成。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所 述步骤10包括：

步骤11、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅电 极的图形；

步骤12、在完成步骤11的基板上沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半 导体薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括数据线、漏电极、源电极 和TFT沟道的图形；

步骤13、在完成步骤12的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成包括 钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔位于漏电极的上方。

3.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所 述步骤10包括：

步骤21、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅电 极的图形；

步骤22、在完成步骤21的基板上沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半 导体薄膜，通过构图工艺形成包括有源层的图形；

步骤23、在完成步骤22的基板上沉积源漏金属薄膜，通过构图工艺形 成包括数据线、漏电极、源电极和TFT沟道的图形；

步骤24、在完成步骤23的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成包括 钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔位于漏电极的上方。

4.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，沉 积透明导电薄膜为：沉积一层厚度为的透明导电薄膜；在透明 导电薄膜上涂覆一层光刻胶为：在透明导电薄膜上涂覆一层厚度为3μm～5 μm的光刻胶。