[发明专利]一种非易失存储器的擦除方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体存储器技术领域，特别是涉及一种非易失存储器器件的擦除方法，以及一种非易失存储器器件的擦除装置。 

背景技术

随着各种电子装置及嵌入式系统的迅速发展和广泛应用，如计算机、个人数字助理、移动电话、数字相机等，大量需要一种能多次编程，容量大，读写、擦除快捷、方便、简单，外围器件少，价格低廉的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器件。非易失性存储器件就是在这种背景需求下应运而生的。一个非易失存储器通常也是一个MOS管，拥有一个源极(source)，一个漏极(drain)，一个门极(gate)，另外还有一个浮动栅极(floating gate)。可见，它的构造和一般的MOS管略有不同，多了一个浮动栅极，该浮动栅极被绝缘体隔绝于其他部分。针对非易失存储器的一般设计而言，只能以整片、整块(block)或扇区(sector)的形式删除，而不能被单字节删除。 

以闪存(Flash Memory)为例，它是一种基于半导体的存储器，具有系统掉电后仍可保留内部信息、在线擦写等功能特点，闪存通过热电子注入机制实现对器件编程，采用隧道效应实现擦除，更具体而言，闪存的擦除方法包括有预编程(pre-program)、擦除(erase)及软件编程(post-program)等的步骤。如公开号为CN1438654A的中国专利申请公开的一种快闪存储器的数据擦除方法包括：首先，执行预先编程：接着，擦除快闪存储器的数据，然后执行软件编程：最后，检查是否擦除成功。在该方案中，预先编程是将欲擦除cell写入0，以提高擦除的稳定性。擦除的步骤是将存储单元写入1。由于每次是同时对闪存中一个扇区中的cell进行擦除，因此在写入1的过程中可能有的cell的浮动栅极被移除过多的电子而使得cell的阈值电压过低，甚至可能小于零。所以需要通过软件编程的步骤紧缩分布过广的cell阈值电压分布。检查擦除是否成功的方法是读取cell所储存的值，为1则成功，否则失败。 

然而，无论采用现有技术的何种方案，当对闪存的某一个扇区进行擦除时，需要对栅极加负压，对位于源极的P阱(P substrate)加一定的正压。所加的电压形成的电场造成了一个电势势垒，它给浮动栅极中的电子提供了一条由浮动栅极到达P阱的通路，从而改变存储单元(cell)的逻辑状态。由于一个存储块内通常包括多个扇区，然而P阱加的正压会加到存储块内的所有cell上，在这种情况下，所加的电压对于没做擦除操作的其它扇区内的cell会产生干扰，从而影响cell中数据的稳定性和可靠性。 

因此，目前需要本领域技术人员迫切解决的一个技术问题就是：如何能够创新地提出一种非易失存储器的擦除机制，用以防止在对目标扇区进行擦除操作时，对同一存储块中未做擦除的相邻扇区所产生的干扰，提高存储单元中数据的稳定性和可靠性。 

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种非易失存储器器件的擦除方法，用以防止在对目标扇区进行擦除操作时，对同一存储块中未做擦除的相邻扇区所产生的干扰，提高存储单元中数据的稳定性和可靠性。 

本发明所要解决的另一个技术问题是提供一种非易失存储器器件的擦除装置，用以保证上述方法在实际中的应用。 

为了解决上述技术问题，本发明实施例公开了一种非易失存储器器件的擦除方法，包括： 

对目标擦除扇区进行预编程操作，同时启动针对与所述目标擦除扇区位于同一存储块中的非擦除扇区的刷新操作，所述对目标擦除扇区进行预编程操作是指对扇区中的存储单元写入0，所述刷新操作包括确定非擦除扇区中易受干扰的存储单元的步骤，以及，对所述易受干扰的存储单元进行编程写入操作的步骤，所述对易受干扰的存储单元进行编程写入操作是指对存储单元写入0； 

对所述目标擦除扇区进行擦除操作，所述擦除操作是指对扇区中的存储单元写入1； 

对所述目标擦除扇区进行软编程操作，所述软编程操作是指调整扇区中存储单元的阈值电压。 

优选的，所述刷新操作还包括以下步骤： 

判断所述编程写入操作是否成功； 

若是，则结束当前非擦除扇区的刷新操作；否则重新进行所述刷新操作。 

优选的，所述确定易受干扰的存储单元的步骤进一步包括： 

分别采用正常读取电压和验证读取电压读取所述非擦除扇区中存储单元的数据； 

若所获得的两个数据形成干扰差异，则确定当前存储单元为易受干扰的存储单元。