[发明专利]一种非易失存储器的擦除方法及装置

权利要求书

1.一种非易失存储器的擦除方法，其特征在于，包括：

对目标擦除扇区进行预编程操作，同时启动针对与所述目标擦除扇 区位于同一存储块中的非擦除扇区的刷新操作，所述对目标擦除扇区进 行预编程操作是指对扇区中的存储单元写入0，所述刷新操作包括确定非 擦除扇区中易受干扰的存储单元的步骤，以及，对所述易受干扰的存储 单元进行编程写入操作的步骤，所述对易受干扰的存储单元进行编程写 入操作是指对存储单元写入0；

对所述目标擦除扇区进行擦除操作，所述擦除操作是指对扇区中的存 储单元写入1；

对所述目标擦除扇区进行软编程操作，所述软编程操作是指调整扇区 中存储单元的阈值电压。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刷新操作还包括以 下步骤：

判断所述编程写入操作是否成功；

若是，则结束当前非擦除扇区的刷新操作；否则重新进行所述刷新 操作。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定易受干扰的存 储单元的步骤进一步包括：

分别采用正常读取电压和验证读取电压读取所述非擦除扇区中存储 单元的数据；

若所获得的两个数据形成干扰差异，则确定当前存储单元为易受干 扰的存储单元。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述验证读取电压大于 所述正常读取电压；所述干扰差异为采用正常读取电压读取的存储单元 的数据为0，采用验证读取电压读取的存储单元的数据为1。

5.一种非易失存储器的擦除装置，包括依次执行的对目标擦除扇区 进行擦除操作的预编程模块、擦除模块及软编程模块，其特征在于，所 述装置还包括：针对与所述目标擦除扇区位于同一存储块中的非擦除扇 区进行刷新操作的刷新模块，所述刷新模块与所述预编程模块同时触发， 具体包括以下子模块：

干扰单元确定子模块，用于确定非擦除扇区中易受干扰的存储单元；

刷新编程子模块，用于对所述易受干扰的存储单元进行编程写入操 作，所述刷新编程子模块对存储单元进行编程写入操作是指对易受干扰 的存储单元写入0；

其中，所述预编程模块用于对目标擦除扇区进行预编程操作，所述 预编程操作是指对目标擦除扇区中的存储单元写入0；所述擦除模块用于 对目标擦除扇区进行擦除操作，所述擦除操作是指对目标擦除扇区中的 存储单元写入1；所述软编程模块用于对目标擦除扇区进行软编程操作， 所述软编程操作是指调整目标擦除扇区中存储单元的阈值电压。

6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述刷新模块还包括以 下子模块：

判断子模块，用于判断所述编程写入操作是否成功，若是，则触发 结束子模块，用于结束当前非擦除扇区的刷新操作；否则重新触发所述 干扰单元确定子模块。

7.如权利要求5或6所述的装置，其特征在于，所述干扰单元确定 子模块进一步包括：

第一读取单元，用于采用正常读取电压读取所述非擦除扇区中存储 单元的数据；

第二读取单元，用于采用验证读取电压读取所述非擦除扇区中存储 单元的数据；

比较单元，用于比较所获得的两个数据并判断是否形成干扰差异， 若是，则确定当前存储单元为易受干扰的存储单元。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述验证读取电压大于 所述正常读取电压，所述干扰差异为采用正常读取电压读取的存储单元 的数据为0，采用验证读取电压读取的存储单元的数据为1。