[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器。 

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display；以下简称：LCD)为平面超薄的显示设备，液晶面板一般由彩膜基板和阵列基板对盒组成，两个基板之间的间隙中封装有液晶层。其中，阵列基板又称薄膜晶体管(Thin FilmTransistor；以下简称：TFT)阵列基板，包括玻璃材质的衬底基板，在衬底基板上横纵交叉地设置有栅线和数据线，相邻的栅线和数据线定义一个像素区域，每个像素区域均包括TFT开关、公共电极及像素电极等组成部分。 

由于液晶分子自身不发光，所以LCD需要光源以便显示图像。根据利用光源的方式以及阵列基板的结构，LCD可分为透射式、反射式和半透半反式。 

其中，透射式的TFT-LCD主要以背光源作为光源，在液晶面板后面设置有背光源，阵列基板上的像素电极为透明电极作为透射区，有利于背光源的光线透射穿过液晶层来显示图像；反射式TFT-LCD主要是以前光源或外界光源作为光源，其阵列基板上的像素电极为金属或其他具有良好反射特性材料的反射电极作为反射区，适于将前光源或外界光源的光线反射；半透半反式TFT-LCD则可视为透射式与反射式LCD的结合，在阵列基板上既设置有反射区又设置有透射区，可以同时利用背光源以及前光源或外界光源以进行显示。 

透射式LCD的优点是可以在暗的环境下显示明亮的图像，但缺点是能透过的光线占背光源发射光线的比例较小，背光源利用率不高，为提高显示亮 度就需要大幅度提高背光源的亮度，因此能耗较高。反射式LCD的优点是能利用阳光或人工光作为LCD的光源，功耗相对较低，但缺点是由于对外部光源的依赖而无法在暗处显示图像。 

半透半反式LCD结合了透射式和反射式LCD的结构，既可以在透射模式下使用，也可以在反射模式下使用。图1为现有半透半反式TFT-LCD中一个像素区域的俯视结构示意图，图2为图1中的A-A向剖视结构示意图。现有半透半反式TFT-LCD的制造方法通常包括以下步骤：首先在衬底基板1上采用构图工艺依次形成栅电极10、栅线2、半导体层11和掺杂半导体层12、源电极13、漏电极14和数据线3的图案，其中，源电极13和漏电极14以电绝缘方式位于栅电极10上方；形成钝化层17覆盖于栅极10、源电极13及漏电极14之上；然后，再采用构图工艺对应漏电极14的上方形成贯穿钝化层17的过孔15；采用构图工艺在钝化层17上方对应透射区4的位置形成透射区电极61；形成平坦化层9，采用构图工艺在平坦化层9上对应反射区5的位置形成反射区电极62。 

在上述过程中，每一道构图工艺过程均包括：成膜、光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀、去胶及清洗等步骤。在TFT-LCD的制造过程中，每一道构图工序均有机会造成微粒子污染而影响产品的合格率，且每一道构图工序均花费许多的工时成本、人力成本及机台购置成本。因此，现有半透半反式液晶显示器的缺陷是：制造工序复杂繁琐、效率低；污染可能性大而产品合格率低；人工、时间和设备的成本高。 

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器，以减少半透半反式液晶显示器的制造工序，降低成本，提高产品的合格率。 

为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板的制造方法，包括： 

步骤100、在衬底基板上沉积透明导电薄膜，再沉积栅金属薄膜，并通过构图工艺形成包括像素电极、栅电极和栅线的图案；

步骤200、在完成步骤100的所述衬底基板上依次沉积栅极绝缘薄膜、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，并通过构图工艺形成包括半导体层和掺杂半导体层的图案； 

步骤300、在完成步骤200的所述衬底基板上沉积源漏金属薄膜，并通过构图工艺形成包括数据线、源电极和漏电极的图案，所述源电极与数据线电气相连，所述漏电极与像素电极电气相连；同时在反射区形成反射结构的图案； 

步骤400、在完成步骤300的所述衬底基板上形成平坦化层，在所述平坦化层上沉积反射层薄膜，并通过构图工艺形成反射层的图案，所述反射层位于所述反射区中。 

为实现上述目的，本发明还提供了一种阵列基板，包括衬底基板，其上形成有横纵交叉的数据线和栅线，并对应形成有矩阵形式排列的像素区域，至少部分像素区域中包括反射区和透射区，其中，所述像素区域包括： 

像素电极，形成在所述衬底基板上，至少设置在所述透射区中；所述像素电极上设置有反射结构，且设置在所述反射区中；