[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶显示器

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

步骤100、在衬底基板上沉积透明导电薄膜，再沉积栅金属薄膜，并通过构图工艺形成包括像素电极、栅电极和栅线的图案；

步骤200、在完成步骤100的所述衬底基板上依次沉积栅极绝缘薄膜、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，并通过构图工艺形成包括半导体层和掺杂半导体层的图案；

步骤300、在完成步骤200的所述衬底基板上沉积源漏金属薄膜，并通过构图工艺形成包括数据线、源电极和漏电极的图案，并在反射区形成反射结构的图案，所述源电极与数据线电气相连，所述漏电极与像素电极电气相连；

步骤400、在完成步骤300的所述衬底基板上形成平坦化层，在所述平坦化层上沉积反射层薄膜，并通过构图工艺形成反射层的图案，所述反射层位于所述反射区中。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤100中通过构图工艺形成包括像素电极、栅电极和栅线的图案具体为：

采用灰色调或半色调掩模板执行构图工艺，在第一次刻蚀时形成栅电极和栅线的图案，在第二次刻蚀时形成像素电极的图案。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，采用灰色调或半色调掩模板执行构图工艺，在第一次刻蚀时形成栅电极和栅线的图案，在第二次刻蚀时形成像素电极的图案具体为：

在所述栅金属薄膜上涂覆光刻胶；

采用灰色调或半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光显影，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全保留区域；

通过第一次刻蚀完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的透明导电薄膜和栅金属薄膜，形成栅电极和栅线的图案；

通过灰化工艺灰化去除光刻胶半保留区域的光刻胶； 

通过第二次刻蚀刻蚀掉光刻胶半保留区域的栅金属薄膜，形成像素电极的图案。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在步骤200中，通过构图工艺形成包括半导体层和掺杂半导体层的图案具体为：

通过构图工艺刻蚀所述半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和栅极绝缘薄膜，形成包括半导体层和掺杂半导体层的图案，且刻蚀掉所述半导体层图案外的栅极绝缘薄膜。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在步骤200中，通过构图工艺形成包括半导体层和掺杂半导体层的图案具体为：

采用灰色调或半色调掩模板执行构图工艺，在第一次刻蚀时形成半导体层和掺杂半导体层的图案，在第二次刻蚀时在所述栅极绝缘薄膜上对应所述像素电极的上方刻蚀形成过孔。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：

在所述步骤100中，通过构图工艺形成包括像素电极、栅电极和栅线的图案具体为通过构图工艺一次刻蚀掉像素电极、栅电极和栅线图案外的透明导电薄膜和栅金属薄膜；

在所述步骤200中，通过构图工艺形成包括半导体层和掺杂半导体层的图案之后，还采用湿刻工艺刻蚀所述像素电极图案之上的栅金属薄膜。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括在所述衬底基板的边缘形成引出电路区的步骤，具体包括：

当形成所述像素电极和栅电极的图案时，在所述引出电路区保留所述透明导电薄膜，或保留所述透明导电薄膜和所述栅金属薄膜；

当形成所述栅极绝缘层、半导体层和掺杂半导体层的图案时，在所述引出电路区至少保留所述栅极绝缘薄膜，并通过构图工艺刻蚀形成连接过孔；

当形成所述漏电极的图案时，在所述引出电路区保留所述源漏金属薄膜，并通过所述连接过孔与所述透明导电薄膜或所述栅金属薄膜连接； 

当形成所述平坦化层时，在所述引出电路区形成所述平坦化层。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，当形成所述栅极绝缘层、半导体层和掺杂半导体层的图案时，在所述引出电路区至少保留所述栅极绝缘薄膜具体为：

当形成所述栅极绝缘层、半导体层和掺杂半导体层的图案时，在所述引出电路区保留所述栅极绝缘薄膜、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜。