[发明专利]一种分离大豆疫霉根腐病菌的专用培养基

说明书

技术领域

本发明涉及一种分离大豆疫霉根腐病菌的专用培养基。

背景技术

大豆疫霉根腐病(Phytophthora root and stem rot of soybean)是由Phytophthorasojae Kaufmann & Gerdemann侵染引起的，是危害极其严重的、最具毁灭性的世界范围的大豆病害之一，在环境条件有利于病害发生的情况下可导致大豆绝产。目前比较有效的防治大豆疫霉根腐病的方法就是培育抗大豆疫霉根腐病品种。而掌握大豆疫霉根腐病菌的毒力类型是进行抗病育种的基础、关键的工作。所以，分离获得大豆疫霉根腐病菌从而进行毒力类型的鉴定是抗病育种工作的重要环节。

大豆疫霉根腐病菌的分离一向被认为是很困难的，因为大豆疫霉根腐病菌常造成大豆根腐、茎腐，如果分离技术不完善或处理不当，发病部位后期常伴生次生腐生菌和细菌、镰刀菌等。在分离过程中，大豆疫霉根腐病菌在普通培养基上生长缓慢，而伴生的主要杂菌生长迅速，常常覆盖疫霉并抑制它的生长，从而导致大豆疫霉根腐病菌分离困难。所以控制细菌和腐霉菌的生长尤为关键，而选择性培养基的应用是成功分离的保障。国际上常用的分离大豆疫霉根腐病菌的选择性培养基有PVP、PARP和PBNIC等。王晓鸣(1998)用PBNIC(苯菌灵、五氯硝基苯、异菌脲、硫酸新霉素、氯霉素)选择性培养基进行了疫霉菌的分离。我国学者对选择性培养基的配方也进行了很多新的尝试。李宝英(1997)用匹马霉素、氨卞青霉素、利福平、五氯硝基苯、恶霉灵等药剂抑制杂菌的生长来分离大豆疫霉根腐病菌。许修宏(2002)用恶霉灵、五氯硝基苯、多菌灵、扑海因、硫酸新霉素、氯霉素等药剂进行了大豆疫霉根腐病菌的分离。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种用于分离大豆疫霉根腐病菌的培养基。

本发明的用于分离大豆疫霉根腐病菌的培养基是向CA培养基中添加3-羟基-5-甲基异恶唑和[6R[6α，7β(Z)]]-3-[[(1，2，5，6-四氢-2-甲基-5，6-二氧代-1，2，4-三嗪-3-基)硫代]甲基]-7-[[(2-氨基-4-噻唑基)(甲氧亚氨基)乙酰基]氨基]-8-氧代-5-硫杂-1-氮杂双环[4.2.0]辛-2-烯-2-羧酸二钠盐三倍半水合物得到的培养基，3-羟基-5-甲基异恶唑在所述用于分离大豆疫霉根腐病菌的培养基中的终浓度可为0.3-0.6g/L，[6R[6α，7β(Z)]]-3-[[(1，2，5，6-四氢-2-甲基-5，6-二氧代-1，2，4-三嗪-3-基)硫代]甲基]-7-[[(2-氨基-4-噻唑基)(甲氧亚氨基)乙酰基]氨基]-8-氧代-5-硫杂-1-氮杂双环[4.2.0]辛-2-烯-2-羧酸二钠盐三倍半水合物在所述用于分离大豆疫霉根腐病菌的培养基中的终浓度可为0.1-0.3g/L。

其中，所述3-羟基-5-甲基异恶唑在所述用于分离大豆疫霉根腐病菌的培养基中的终浓度优选为0.5g/L；所述[6R[6α，7β(Z)]]-3-[[(1，2，5，6-四氢-2-甲基-5，6-二氧代-1，2，4-三嗪-3-基)硫代]甲基]-7-[[(2-氨基-4-噻唑基)(甲氧亚氨基)乙酰基]氨基]-8-氧代-5-硫杂-1-氮杂双环[4.2.0]辛-2-烯-2-羧酸二钠盐三倍半水合物在所述用于分离大豆疫霉根腐病菌的培养基中的终浓度优选为0.2g/L。

上述任一所述用于分离大豆疫霉根腐病菌的培养基在分离大豆疫霉根腐病菌中的应用也属于本发明的保护范围。

本发明的另一个目的是提供一种改进的分离大豆疫霉根腐病菌的方法。

本发明所提供的分离大豆疫霉根腐病菌的方法，为病组织分离方法，包括如下步骤：将染大豆疫霉根腐病菌的病组织用上述任一所述用于分离大豆疫霉根腐病菌的培养基进行培养，得到大豆疫霉根腐病菌。

为保证分离效率，所述病组织最好取自病健交界处的病茎，所述病茎的长度最好小于等于4cm。

所述培养的条件可为在18-20℃温度下暗培养5-7天；所述温度优选为18℃。

所述方法中，在所述培养后，还可包括对上述病组织进行培养得到的菌进行纯化培养的步骤；所述纯化培养中所用的培养基为上述任一所述用于分离大豆疫霉根腐病菌的培养基；所述纯化培养的条件可为18-20℃温度下暗培养5-7天；所述温度优选为18℃。

所述方法中，在所述纯化培养后，还可包括单孢分离的步骤。