[发明专利]一种分离大豆疫霉根腐病菌的专用培养基

权利要求书

1、一种用于分离大豆疫霉根腐病菌的培养基，是向CA培养基中添加3-羟基-5-甲基异恶唑和[6R[6α，7β(Z)]]-3-[[(1，2，5，6-四氢-2-甲基-5，6-二氧代-1，2，4-三嗪-3-基)硫代]甲基]-7-[[(2-氨基-4-噻唑基)(甲氧亚氨基)乙酰基]氨基]-8-氧代-5-硫杂-1-氮杂双环[4.2.0]辛-2-烯-2-羧酸二钠盐三倍半水合物得到的培养基，3-羟基-5-甲基异恶唑在所述用于分离大豆疫霉根腐病菌的培养基中的终浓度为0.3-0.6g/L，[6R[6α，7β(Z)]]-3-[[(1，2，5，6-四氢-2-甲基-5，6-二氧代-1，2，4-三嗪-3-基)硫代]甲基]-7-[[(2-氨基-4-噻唑基)(甲氧亚氨基)乙酰基]氨基]-8-氧代-5-硫杂-1-氮杂双环[4.2.0]辛-2-烯-2-羧酸二钠盐三倍半水合物在所述用于分离大豆疫霉根腐病菌的培养基中的终浓度为0.1-0.3g/L。

2、根据权利要求1所述的用于分离大豆疫霉根腐病菌的培养基，其特征在于：所述3-羟基-5-甲基异恶唑在所述用于分离大豆疫霉根腐病菌的培养基中的终浓度为0.5g/L；所述[6R[6α，7β(Z)]]-3-[[(1，2，5，6-四氢-2-甲基-5，6-二氧代-1，2，4-三嗪-3-基)硫代]甲基]-7-[[(2-氨基-4-噻唑基)(甲氧亚氨基)乙酰基]氨基]-8-氧代-5-硫杂-1-氮杂双环[4.2.0]辛-2-烯-2-羧酸二钠盐三倍半水合物在所述用于分离大豆疫霉根腐病菌的培养基中的终浓度为0.2g/L。

3、权利要求1或2中所述用于分离大豆疫霉根腐病菌的培养基在分离大豆疫霉根腐病菌中的应用。

4、一种分离大豆疫霉根腐病菌的方法，包括如下步骤：将被大豆疫霉根腐病菌侵染的病组织用权利要求1或2中所述用于分离大豆疫霉根腐病菌的培养基进行培养，得到大豆疫霉根腐病菌。

5、根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述病组织为病健交界处的病茎；所述病茎为长度小于等于4cm的茎段。

6、根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于：所述培养的条件为在18-20℃温度下暗培养5-7天；所述温度优选为18℃。

7、根据权利要求4-6中任一所述的方法，其特征在于：所述方法中，在所述培养后，包括纯化培养的步骤；所述纯化培养中所用的培养基为权利要求1或2中所述用于分离大豆疫霉根腐病菌的培养基；所述纯化培养的条件为18-20℃温度下暗培养5-7天；所述温度优选为18℃。

8、根据权利要求4-7中任一所述的方法，其特征在于：所述方法中，在所述纯化培养后，包括单孢分离的步骤。