[发明专利]空腔直径连续变化的中空介孔二氧化硅球的制备方法无效
申请号: | 200910076384.4 | 申请日: | 2009-01-15 |
公开(公告)号: | CN101475183A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 郗杨;郝维昌;王天民 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | C01B33/18 | 分类号: | C01B33/18 |
代理公司: | 北京慧泉知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王顺荣;唐爱华 |
地址: | 100191北京市海淀区学院路37号*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 空腔 直径 连续 变化 中空 二氧化硅 制备 方法 | ||
1.一种空腔直径连续变化的中空介孔二氧化硅球的制备方法,其特征在于:该方法具体包括以下几个步骤:
(1)、将0.05~2g的十六烷基三甲基溴化铵溶于12~70ml的乙醇中,搅拌十分钟充分溶解;而后加入0.5~9ml的正硅酸乙酯进行充分搅拌;
(2)、配制0.01~0.4M的氨水溶液;
(3)、高速搅拌氨水溶液,然后把步骤(1)所制得的混合液快速加入氨水溶液中;5分钟后停止搅拌,生成白色的絮状物浮于液体表面;其中,混合液和氨水溶液的体积比为1∶5~1∶20;
(4)、将过滤出的白色沉淀物以2℃/min的速率升温至600℃并保温一小时,即得到中空介孔二氧化硅球。
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