[发明专利]一种无边缘效应放射性TiNi合金支架的制备方法

权利要求书

1.一种无边缘效应放射性TiNi合金支架的制备方法，其特征在于制备无边缘效应放射性TiNi合金支架按以下步骤实现：一、按原子百分比取50.6％的Ni、0.032％的C、0.003％的H、0.045％的O、0.040％的Fe和余量的Ti进行混合，然后采用水冷铜坩埚真空感应熔炼炉熔炼，得铸锭；二、清理铸锭表面，然后在温度为750～850℃条件下均匀化处理8～24h，而后在温度为800℃条件下开坯锻造，再放入温度为650～800℃条件下进行热轧处理，然后再在温度为650～800℃条件下镟锻成直径为1.5cm的棒材，而后在温度为700℃、道次变形量为10％的条件下热拉成直径为2mm的热拔丝，再喷砂，而后再以道次变形量为10％的条件冷拔至直径为0.24mm冷拔丝，最后在一道冷拔变形量为50％的条件下冷拉成直径为0.12mm的冷拔丝；三、将冷拔丝编成直径为3.2mm、长度为15mm的支架，然后在温度为450℃的真空条件下处理15～30min，而后进行化学抛光处理，再放入丙酮中超声波清洗，吹干；四、将吹干后的支架放入到等离子体基离子注入系统中并将磷离子以注入电压50～70KV、注入量6×10¹⁷cm^-2注入到系统中，而后在慢中子通量为5.88×10¹⁷n/m²s、慢中子辐照剂量为3.38×10²²n/m²的条件下辐照16h；五、将辐照后的支架放入到真空度1×10^-3Pa的石英管中，在温度为773K条件下退火处理20min，然后再放入冰盐水中冷却，即得放射性TiNi合金支架。

2.根据权利要求1所述的一种无边缘效应放射性TiNi合金支架的制备方法，其特征在于步骤二中在温度为800℃条件下均匀化处理12h。

3.根据权利要求1或2所述的一种无边缘效应放射性TiNi合金支架的制备方法，其特征在于步骤二中热轧处理的温度为700℃。

4.根据权利要求3所述的一种无边缘效应放射性TiNi合金支架的制备方法，其特征在于步骤二中在温度为750℃条件下镟锻成直径为1.5cm的棒材。

5.根据权利要求1、2或4所述的一种无边缘效应放射性TiNi合金支架的制备方法，其特征在于步骤三中在温度为450℃的真空条件下处理时间为20min。

6.根据权利要求5所述的一种无边缘效应放射性TiNi合金支架的制备方法，其特征在于步骤三中对支架进行化学抛光处理是采用化学抛光液为HF-HNO₃-H₂O系混合溶液、在温度为40～60℃的条件下处理10s完成的。

7.根据权利要求1、2、4或6所述的一种无边缘效应放射性TiNi合金支架的制备方法，其特征在于步骤四中所用等离子体基离子注入系统为DLZ-01等离子体基离子注入系统。

8.根据权利要求7所述的一种无边缘效应放射性TiNi合金支架的制备方法，其特征在于步骤四中注入电压为60KV。