[发明专利]多晶硅生产过程中的三氯氢硅分离提纯系统及操作方法

权利要求书

1.一种多晶硅生产过程中的三氯氢硅分离的系统，由精馏工段和回收精制工段组成；其特征是精馏工段有六个塔，回收精制工段有三个塔；精馏工段六个塔连接方式是依次由脱轻一塔、脱轻二塔、脱重塔、再脱轻塔、再脱重一塔和再脱重二塔连接；回收精制工段三个塔连接方式依次由脱低塔、脱高塔和产品精制塔连接。

2.如权利要求1的系统，其特征是含杂质的三氯氢硅原料液，由原料罐进入脱轻一塔，脱轻一塔与脱轻二塔串联进行脱轻；脱轻后的三氯氢硅进入脱重塔进行脱重，脱重后的三氯氢硅进入再脱轻塔进行再脱轻，再脱轻塔的塔顶产品返回到原料罐；再脱轻塔塔釜得到的较高纯度的三氯氢硅进入再脱重一塔，再脱重一塔与再脱重二塔串联进行再脱重，在再脱重一塔塔顶得到高纯三氯氢硅产品，再脱重二塔塔釜含微量重组分的三氯氢硅返回到原料罐；来自还原、氢化尾气回收工段的物料，进入脱低塔进行脱轻，脱低后的产品送到脱高塔进行脱高提纯，脱高后的塔顶产品进入产品精制塔进一步脱去微量重组分，在产品精制塔顶得到高纯三氯氢硅产品，精制塔釜液返回原料罐。

3.权利要求1或2的系统的操作方法，其特征是脱轻一塔塔顶压力为150KPa～300KPa，塔顶温度为48～85℃，回流比为45.0～135.0，脱轻二塔塔顶压力为150KPa～300KPa，塔顶温度为55～90℃，脱轻一塔和脱轻二塔理论级数共为100～190。

4.权利要求1或2的系统的操作方法，其特征是脱重塔塔顶压力为150KPa～300KPa，塔顶温度为52～85℃，回流比为5.0～15.0，脱重塔塔理论级数为50～100。

5.权利要求1或2的系统的操作方法，其特征是再脱轻塔塔顶压力为150KPa～300KPa，塔顶温度为54～87℃，回流比为70.0～130.0，再脱轻塔理论级数为40～90。

6.权利要求1或2的系统的操作方法，其特征是再脱重一塔塔顶压力为150KPa～300KPa，塔顶温度为60～82℃，回流比为10.0～30.0，再脱重二塔塔顶压力为150KPa～300KPa，塔顶温度为52～80℃，再脱重一塔和再脱重二塔理论级数共为80～130。

7.权利要求1或2的系统的操作方法，其特征是脱低塔塔顶压力为150KPa～300KPa，塔顶温度为50～78℃，回流比为40.0～75.0，脱低塔塔理论级数为40～80。

8.权利要求1或2的系统的操作方法，其特征是脱高塔塔顶压力为150KPa～300KPa，塔顶温度为55～82℃，回流比为5.0～15.0，脱高塔塔理论级数为40～80。

9.权利要求1或2的系统的操作方法，其特征是产品精制塔塔顶压力为150KPa～300KPa，塔顶温度为55～82℃，回流比为5.0～15.0，产品精制塔理论级数为40～80。