[发明专利]聚焦离子束注入结合氟化氙气体辅助刻蚀的微纳加工方法

权利要求书

1.一种聚焦离子束注入结合氟化氙气体辅助刻蚀的微纳加工方法，采用带有氟化氙气体 辅助刻蚀的聚焦离子束设备，包括下列步骤：

a)将待加工基底置于聚焦离子束样品室；

b)通过离子束成像系统对其进行形貌观测；

c)利用聚焦离子束对基底按照目标加工图案进行离子注入加工；

d)在所述的聚焦离子束样品室内，原位利用聚焦离子束氟化氙气体辅助刻蚀的方法 对离子注入区域进行微纳加工。

2.根据权利要求1所述的聚焦离子束注入结合氟化氙气体辅助刻蚀的微纳加工方法，其 特征在于，其中的步骤c)，聚焦离子束照射剂量不小于临界剂量1.4×10²¹离子/米 ²。

3.根据权利要求1所述的聚焦离子束注入结合氟化氙气体辅助刻蚀的微纳加工方法，其 特征在于，其中的步骤d)的聚焦离子束氟化氙气体辅助刻蚀过程中，在样品室内通 入0.1-10uL/s的氟化氙活性气体。

4.根据权利要求1所述的聚焦离子束注入结合氟化氙气体辅助刻蚀的微纳加工方法，其 特征在于，步骤d)中聚焦离子束刻蚀加工束流为1pA～20nA。

5.根据权利要求1所述的聚焦离子束注入结合氟化氙气体辅助刻蚀的微纳加工方法，其 特征在于，所述的聚焦离子束是镓离子束。

6.根据权利要求1所述的聚焦离子束注入结合氟化氙气体辅助刻蚀的微纳加工方法，其 特征在于，所述的基底由单晶硅、多晶硅、二氧化硅或氮化硅材料制成。

7.根据权利要求1所述的聚焦离子束注入结合氟化氙气体辅助刻蚀的微纳加工方法，其 特征在于，所述的氟化氙气体是二氟化氙、四氟化氙或六氟化氙。