[发明专利]氮化硅纳米梳及其制备方法无效
| 申请号： | 200910066831.8 | 申请日： | 2009-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101531350A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 崔啟良;王秋实;张剑;梁罡;郝健;刘丹;类伟巍;金云霞;李敏 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 纳米 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化硅纳米梳的制备方法，所述的纳米梳中纳米线是由Si3N4组成的，纳米线阵列形成梳状；其特征在于，以Si粉、C粉和SiO2粉为原料，用量的摩尔比为1∶1∶1；制备有混料压块过程和电弧放电生成纳米线过程；
所述的混料压块过程，是将Si粉、C粉和SiO2粉放入混料机中混合均匀；再将混合粉压成混合粉块；
所述的电弧放电生成纳米线过程，是将混合粉块放入带有冷却壁的直流电弧放电装置的反应室内的阳极中，所述的电弧放电装置的阳极为中空的铜锅，阴极为钨电极；将冷却壁和铜锅内通循环冷却水，反应室抽成真空再充入氮气至气压为10～30kPa；在电压为20～40V、电流为80～120A下放电反应5～30分钟，在阴极上收集白色的粉末。
2.按照权利要求1所述的氮化硅纳米梳的制备方法，其特征在于，所述的反应室抽成真空，真空度小于5pa。
3.按照权利要求1或2所述的氮化硅纳米梳的制备方法，其特征在于，所述的Si粉、C粉和SiO2粉纯度是99.9％或更高，粒度是200目或更细。
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