[发明专利]数字式半导体激光器恒温控制器无效
| 申请号: | 200910066767.3 | 申请日: | 2009-04-07 |
| 公开(公告)号: | CN101540474A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
| 发明(设计)人: | 单江东;吴戈;田小建;汝玉星 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
| 主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024;G05D23/20;G05B19/042 |
| 代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 王恩远 |
| 地址: | 130012吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 数字式 半导体激光器 恒温 控制器 | ||
技术领域
本发明属于电子设备技术领域,特别涉及一种控制半导体制冷器进行制冷和恒温的电子设备。
背景技术
光纤通信系统中均使用激光二极管作为光源,半导体激光器作为一种高功率密度并且具有极高量子效率的器件,尽管其是高效率的电子-光子转换器件,但由于不可避免地存在各种非辐射复合损耗、自由载流子吸收等损耗机制,使其外微分量子效率只能达到20%~30%,这意味着相当部分注入的电功率将转化为热量,引起激光器温度升高。温度对激光器的影响主要有以下几个方面:
1、温度对阈值电流的影响:
随着温度的升高将引起阈值电流的增大,使输出功率下降,从而给激光器驱动电源的设计带来困难。
2、温度对V-I关系的影响:
当注入电流相等时,温度高的激光器对应的正向压降也大,这会给半导体激光器恒流源的设计带来困难。
3、温度对输出波长的影响:
由于有源层材料的禁带宽度随温度升高而变窄,使激射波长向长波方向移动,即红移现象。红移量与器件的结构和有源区材料有关,约为0.2~0.3nm/℃。因此,可以用适当的温度控制来微调激光的峰值波长,以满足对波长要求严格的一些应用。
4、温度对P-I曲线非线性的影响:
理想情况下,半导体激光器的P-I应该是线性曲线,PN结过热是产生非线性的原因之一。除此之外,来自于有源区中横(侧)模的不稳定性,来自外部的反射光(如从连接器,尾纤端等部位)以及与光强有关的饱和等因素也能造成非线性。其中模式的不稳定性是出现P-I曲线扭折的主要原因,这种不稳定性除了与激光器本身的结构有关外,还与温度有很大关系。
除此之外温度升高还会增加内部缺损,严重地影响器件的寿命,给应用带来很大困难。如果不将所产生的热量移去,将造成一种恶性循环,使激光器很快失效。试验表明,温度每增加25℃,器件的寿命减少一半,即使工作电流在数十毫安的半导体激光器,它却承受了102A/cm左右的光电流密度。所以工作温度对于激光器十分重要,必须给激光器提供恒定而且能够精密调整的工作温度,才能保证激光器具有最大的效率和最小的功率波动。
以前对大功率激光器往往采用冰水循环方式制冷,通过调节热沉中循环管道内冰水的流量来达到温控的目的。这种控制方法精度不高,使用也不方便。目前多采用半导体制冷器(TEC,Thermoelectric Cooler)对激光器进行制冷和温控。半导体制冷器是一种固体制冷方式,与通常压缩机制冷系统相比,其优点是没有机械转动部分,无需制冷剂,无噪声、无污染、体积小,可小型、微型化,可靠性高,寿命长,可电流反向加热,易于恒温,现在普遍用于半导体激光器的制冷系统中。本发明也采用半导体制冷器。
目前国内外已有的与本发明类似的产品,如:
台湾致惠科技股份有限公司的CDS系列热电模组控制器,该产品的特性包括:
1、双向无段电流驱动,高功率达150W/300W,高效率达90%以上。
2、Auto tune/PID控制,控制最佳化。
3、可设定温控范围-50~+150℃,精确度+/-0.3℃,稳定度+/-0.01~0.05℃。
4、温度设定与读值解析度0.01℃。
5、可单机操作或连接PC软体操作。
6、整合控制器与驱动器,并拥有两组T-type热电偶。
7、可搭配客制化温控平台,适用于电子元件测试、光电检测、材料研究、生物科技等。
美国Wavelength Electronics Inc.的LFI3751 Temperature Control Instrument,该产品的特性包括:
1、24小时温度稳定度:0.003℃。
2、最大TEC驱动电流输出:±5安培。
3、比例系数增益范围:1~100。
4、积分时间常数范围:1~10秒。
5、微分时间常数范围:1~100秒。
6、供电电压:+115V~+230V。
7、RS-232接口。
美国ThermOptics Inc.的DN1220 Thermoelectric Cooler Controller,该产品的特性包括:
1、比例和积分控制。
2、增益与积分时间常数由一个电位器控制(无需外部提供积分电容)。
3、单电源供电:直流+5V~+12V。
4、驱动电流:±2安培。
5、独立加热和制冷电流限制调节。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学,未经吉林大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910066767.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:塑基铝膜分离回收系统及方法
- 下一篇:基于导向波的厚梁结构损伤检测方法





