[发明专利]新型LED封装用基板

说明书

一、技术领域

本发明涉及LED芯片生产设备，特别是一种新型LED封装用基板。

二、背景技术

随着电子技术的迅猛发展，电子元器件日益小型化，导致芯片产生的热量就越来越集中。尤其是LED大功率的发展，使得元器件的单位体积内的发热量步步攀升。如果这些热量不能及时排出外界，造成芯片的温升效应，LED的寿命和光都会大打折扣，传统使用的PCB板封装基板的热传导率仅约0.36W/MK，已远远不能满足大功率LED的理想散热基板材料。

现有技术的LED封装所用基板一般为PCB、陶瓷或金属基板如：铜铝基板。它们共有以下缺点：1)PCB板导热效率低，导致基板散热性比较差，2)PCB板及金属基板膨胀系数与LED芯片相差太大，当温度变化时容易引发芯片瑕疵及发光率低下，导致发光效率和寿命大打折扣，没能达到高功率、长寿命的技术要求。3)陶瓷基板与金属基板有着散热不均匀，造成局部温度高，也不能很好得将热量散发掉，影响使用效果，使用寿命短，因此，其改进和创新势在必行。

三、发明内容

针对上述情况，为克服现有技术之不足，本发明之目的就是提供一种新型LED封装用基板，可有效提高大功率封装基座散热性能，改善因温升导致LED芯片光衰大及寿命下降的问题，其解决的技术方案是，包括焊接膜、导电膜、芯片粘结层及石墨基板，焊接膜下部为导电膜，导电膜的下部有连为一体的基底膜，基底膜置于绝缘氧化层上，绝缘氧化层下部置于石墨基板上，焊接膜、导电膜、基底膜的中部同绝缘氧化层上层面间构成凹槽，凹槽内在绝缘氧化层面上置有芯片粘结层，本发明结构新颖简单、独特，使用方便，散热效果好，使用寿命长，并能增强LED产品耐高温冲击性能，提高产品可靠性及稳定性，是对现有LED封装用基板的改进与创新。

四、附图说明

图1为本发明的结构主视图。

图2为本发明的使用状态图。

图3为本发明的另一实施例使用状态图。

图4为本发明的多部分组合在一起的使用状态图

五、具体实施方式

以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明。

由图1-4所示，本发明包括焊接膜、导电膜、芯片粘结层及石墨基板，焊接膜1下部为导电膜2，导电膜2的下部有连为一体的基底膜3，基底膜置于绝缘氧化层4上，绝缘氧化层下部置于石墨基板5上，焊接膜1、导电膜2、基底膜3的中部同绝缘氧化层4上层面间构成凹槽7，凹槽7内在绝缘氧化层面上置有芯片粘结层6。

为了保证使用效果，所说的石墨基板5下部装有散热翅8；所说的凹槽7为长方形的通槽；所说的焊接膜1、导电膜2、基底膜3、绝缘氧化层4、石墨基板5为方形或圆形；焊接膜1、导电膜2、基底膜3复合组成金属化层一体结构。

在图1-4中，其中：

焊接膜1：主要焊接电子元器件。一般由银或金等导电性和焊接性良好的金属，采用磁控溅射的方法沉积到导电膜上；

导电膜2：主要起到导电的作用，承载一定的电流密度，并过度膨胀系数差异较大的焊接膜和基底膜。一般是采用磁控溅射的方法将铜或镍或镍合金沉积到基底膜上；

基底膜3：主要是起到与绝缘层有较强的附着力，并覆镀整个金属化导电层。采用磁控溅射的方法将铬或钛金属沉积到绝缘氧化层上；

绝缘氧化层4：通过对石墨的特殊阳极氧化处理，形成的具有微孔的结构层，该层具有电气绝缘性能.

石墨基板5：是LED引线电路的基板；

芯片粘接层6：是将LED芯片附着在基板的绝缘氧化层上，是具有良好的导热性的胶或共晶镀层；

凹槽7：用于经芯片粘结层放置芯片；

散热翅8：用于帮助石墨基板散热；

透明塑封树脂9：用于封装芯片，固定和保护LED芯片11引线的塑封料；

电极引线10：用于连接LED芯片11和焊接膜1，是将芯片电极引出来，通常是金线或铝线等。

基底膜3采用磁控溅射金属铬和钛的方法将铬或钛沉积到绝缘氧化层上，基底膜3的厚度为0.2-0.3μm范围内；导电膜2采用磁控溅射把金属铜或镍或镍合金沉积到基底膜3上，厚度为2-3μm范围内；焊接膜1采用磁控溅射把银或金等导电性和焊接性良好的金属沉积到导电膜2上，厚度为0.5-1μm范围内；绝缘氧化层4的面上采用掩膜或光刻的方法形成电路图形且采用磁控溅射的方法使电路图形形成金属化层1-3，把大功率LED芯片贴装到金属化层上进行打引线线封装。