[发明专利]一种低成本负温度系数热敏材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200910060153.4 申请日: 2009-07-29
公开(公告)号: CN101659544A 公开(公告)日: 2010-03-03
发明(设计)人: 陶明德;唐本栋;周军有 申请(专利权)人: 四川西汉电子科技有限责任公司
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453;C04B35/64;H01C7/04;H01C7/13
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 611130四川省成都*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 低成本 温度 系数 热敏 材料 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及敏感材料及器件的制造技术,特别涉及负温度系数热敏材料及 其制备方法。

背景技术

迄今为止,国内外所用的负温度系数热敏材料的配方均是由过渡金属元素 (Mn、Fe、Co、Ni、Cu)的氧化物构成。改变配方中材料的成份或成份的不同 比列,可以获得所需要的各种参数的热敏材料。大量研究表明,由过渡金属氧 化物构成的热敏材料具有尖晶石结构,导电机制为价交换模型。在这种氧化物 半导体中引入各种杂质(掺杂)只能改善材料的均匀性、稳定性和重复性以及 高温成瓷性能。对电导的调制作用不呈现明显的效果。因此,根据这一理论, 材料的高电阻率必然伴随高的B值(温度灵敏系数)。由于载流子浓度决定于温 度,温度越高,载流子浓度越大,材料自然呈现负温度特性。因此,若要制备 应用上要求的具有某些特殊性能(如高阻/低B值材料,低阻/高B值材料,线性 热敏材料和正温度系数热敏材料)的材料是无法实现的。其次是传统的热敏材 料的配方中所含的Co和Ni的氧化物(Co3O4,NiO)价格十分昂贵,给体积大, 用料多的功率型热敏电阻的制造带来困难。此外,按照陶瓷半导体的要求,原 材料纯度越高,制备工艺环境污染越小,材料的一致性和稳定性越好,这又大 大增加元件制造的成本。为了克服热敏电阻制造中面临的这些问题,人们曾采 用简化生产工艺,使用低质量原料,减少原材料(金属氧化物)用量等方法降 低产品的制造成本,其结果是事与愿违,使产品的质量大大下降,削弱了产品 的市场竞争力。解决功率型热敏电阻制造的低成本问题,唯一的途径是研发低 成本热敏材料新配方。

发明内容

本发明为弥补现有技术的不足,提供一种采用价格很低的材料制作的负温 度系数热敏材料及其制备方法。

为达到上述发明目的,本发明所采用的技术方案为:提供一种低成本负温 度系数热敏材料,其特征在于,所述热敏材料的原料中的各个组成部分及其含 量如下:

ZnO                50%-70%;

CuO                25%-45%;

C                  3%-5%;

CaO                0.5%-1.5%;

Al2O3              0.3%。

上述低成本负温度系数热敏材料的制备方法,包括如下步骤:

A、按配方比例范围内各成份的重量百分比配制原料,以配料∶水∶乙醇∶ 磨球(锆球)=1.0∶0.8∶0.6∶1.5重量比例一次球磨16小时;

B、将一次球磨后的粉料在750℃±5℃下预烧,保温2小时-3小时;

C、将预烧料按照一次球磨的方法进行第二次球磨12小时;

D、将二次球磨后的粉料在80℃-100℃烘干,并加入粉料总重量15%~18% 的、浓度为10%的聚乙烯醇溶液,造粒成粒度为80目-200目的粉体;

E、将造粒粉体压制成密度为3.2g/cm3~3.4g/cm3的样品坯体;

F、将样品坯体置于1060℃-1080℃的高温炉中煅烧,烧结曲线如下:

室温~500℃        升温速率0.5℃/min

500℃~800℃                升温速率0.8℃/min

800℃                       保温60min

800℃~(1060℃~1080℃)     升温速率1.0℃/min

(1060℃~1080℃)            保温150min

(1060℃~1080℃)~200℃     随炉降温;

G、采用含Ag60%的Ag浆在烧结所得的热敏瓷片两面印制厚度为3~4um 的Ag电极,之后在850℃下还原30min,制成热敏材料测试样品芯片,热敏材 料测试样品芯片的常温电阻率ρ25=23Ωcm-55Ωcm,B25/50=2680K-2954K。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川西汉电子科技有限责任公司,未经四川西汉电子科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910060153.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top