[发明专利]一种低成本负温度系数热敏材料及其制备方法有效
申请号: | 200910060153.4 | 申请日: | 2009-07-29 |
公开(公告)号: | CN101659544A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 陶明德;唐本栋;周军有 | 申请(专利权)人: | 四川西汉电子科技有限责任公司 |
主分类号: | C04B35/453 | 分类号: | C04B35/453;C04B35/64;H01C7/04;H01C7/13 |
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地址: | 611130四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低成本 温度 系数 热敏 材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及敏感材料及器件的制造技术,特别涉及负温度系数热敏材料及 其制备方法。
背景技术
迄今为止,国内外所用的负温度系数热敏材料的配方均是由过渡金属元素 (Mn、Fe、Co、Ni、Cu)的氧化物构成。改变配方中材料的成份或成份的不同 比列,可以获得所需要的各种参数的热敏材料。大量研究表明,由过渡金属氧 化物构成的热敏材料具有尖晶石结构,导电机制为价交换模型。在这种氧化物 半导体中引入各种杂质(掺杂)只能改善材料的均匀性、稳定性和重复性以及 高温成瓷性能。对电导的调制作用不呈现明显的效果。因此,根据这一理论, 材料的高电阻率必然伴随高的B值(温度灵敏系数)。由于载流子浓度决定于温 度,温度越高,载流子浓度越大,材料自然呈现负温度特性。因此,若要制备 应用上要求的具有某些特殊性能(如高阻/低B值材料,低阻/高B值材料,线性 热敏材料和正温度系数热敏材料)的材料是无法实现的。其次是传统的热敏材 料的配方中所含的Co和Ni的氧化物(Co3O4,NiO)价格十分昂贵,给体积大, 用料多的功率型热敏电阻的制造带来困难。此外,按照陶瓷半导体的要求,原 材料纯度越高,制备工艺环境污染越小,材料的一致性和稳定性越好,这又大 大增加元件制造的成本。为了克服热敏电阻制造中面临的这些问题,人们曾采 用简化生产工艺,使用低质量原料,减少原材料(金属氧化物)用量等方法降 低产品的制造成本,其结果是事与愿违,使产品的质量大大下降,削弱了产品 的市场竞争力。解决功率型热敏电阻制造的低成本问题,唯一的途径是研发低 成本热敏材料新配方。
发明内容
本发明为弥补现有技术的不足,提供一种采用价格很低的材料制作的负温 度系数热敏材料及其制备方法。
为达到上述发明目的,本发明所采用的技术方案为:提供一种低成本负温 度系数热敏材料,其特征在于,所述热敏材料的原料中的各个组成部分及其含 量如下:
ZnO 50%-70%;
CuO 25%-45%;
C 3%-5%;
CaO 0.5%-1.5%;
Al2O3 0.3%。
上述低成本负温度系数热敏材料的制备方法,包括如下步骤:
A、按配方比例范围内各成份的重量百分比配制原料,以配料∶水∶乙醇∶ 磨球(锆球)=1.0∶0.8∶0.6∶1.5重量比例一次球磨16小时;
B、将一次球磨后的粉料在750℃±5℃下预烧,保温2小时-3小时;
C、将预烧料按照一次球磨的方法进行第二次球磨12小时;
D、将二次球磨后的粉料在80℃-100℃烘干,并加入粉料总重量15%~18% 的、浓度为10%的聚乙烯醇溶液,造粒成粒度为80目-200目的粉体;
E、将造粒粉体压制成密度为3.2g/cm3~3.4g/cm3的样品坯体;
F、将样品坯体置于1060℃-1080℃的高温炉中煅烧,烧结曲线如下:
室温~500℃ 升温速率0.5℃/min
500℃~800℃ 升温速率0.8℃/min
800℃ 保温60min
800℃~(1060℃~1080℃) 升温速率1.0℃/min
(1060℃~1080℃) 保温150min
(1060℃~1080℃)~200℃ 随炉降温;
G、采用含Ag60%的Ag浆在烧结所得的热敏瓷片两面印制厚度为3~4um 的Ag电极,之后在850℃下还原30min,制成热敏材料测试样品芯片,热敏材 料测试样品芯片的常温电阻率ρ25=23Ωcm-55Ωcm,B25/50=2680K-2954K。
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