[发明专利]BiCMOS半导体结型可变电容及其制造方法有效
申请号: | 200910057632.0 | 申请日: | 2009-07-23 |
公开(公告)号: | CN101964365A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 钱文生;刘冬华;胡君 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/92 | 分类号: | H01L29/92;H01L29/737;H01L21/331 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 王函 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | bicmos 半导体 可变电容 及其 制造 方法 | ||
1.一种BiCMOS半导体结型可变电容,其特征在于,它包含以下部分:
(a)衬底材料,包含N型的集电极区,该集电极区叠加在同导电类型的次集电极区;相应的集电极区上有多个隔离区;
(b)N型穿通注入区,位于至少一对隔离区之间,并连接次集电极区;
(c)覆盖在衬底材料之上的锗硅外延层,它包含非本征基区,导电类型是P型;该锗硅外延层覆盖在不包括穿通注入区的区域;
(d)位于衬底上部的铟注入集电极区,位于非本征基区与次集电极区之间。
2.如权利要求1所述的BiCMOS半导体结型可变电容,其特征在于,所述的隔离区采用浅沟槽隔离或者选择性氧化隔离。
3.如权利要求1所述的BiCMOS半导体结型可变电容,其特征在于,所述的铟注入集电极区没有和所述非本征基区直接接触。
4.如权利要求1所述的BiCMOS半导体结型可变电容,其特征在于,所述铟注入集电极区与次集电极区之间有磷注入集电极区。
5.一种BiCMOS半导体结型可变电容的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1,在衬底较低的部分形成次集电极区;
步骤2,在衬底的上部形成一系列的隔离区;
步骤3,通过铟注入在衬底上部形成集电极区;
步骤4,在至少一对隔离区之间形成穿通注入区,用于连接次集电极区;
步骤5,在集电极区上面形成锗硅外延层和非本征基区,该锗硅外延层不覆盖穿通注入区。
6.如权利要求5所述的BiCMOS半导体结型可变电容的制造方法,其特征在于,步骤1中通过注入磷离子形成次集电极区,其中磷的剂量是1E13到1E16,注入能量从250keV到300keV。
7.如权利要求6所述的BiCMOS半导体结型可变电容的制造方法,其特征在于,在所述注入磷离子之后加一次退火来激活注入的离子,退火温度为950度到1020度,时间为10秒钟。
8.如权利要求5所述的BiCMOS半导体结型可变电容的制造方法,其特征在于,步骤2中所述的隔离区采用浅沟槽隔离或者选择性氧化隔离。
9.如权利要求5所述的BiCMOS半导体结型可变电容的制造方法,其特征在于,步骤3通过铟和磷注入在所述次集电极区上面依次叠加形成磷注入集电极区和铟注入集电极区,该磷注入集电极区位于该铟注入集电极区与该次集电极区之间。
10.如权利要求9所述的BiCMOS半导体结型可变电容的制造方法,其特征在于,所述铟注入中铟的剂量为1E13到1E14,注入能量为30keV到100keV;所述磷注入中磷的剂量为1E12到1E13,注入能量为200keV。
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