[发明专利]快速检测外延图形漂移缺陷的方法有效
| 申请号： | 200910057413.2 | 申请日： | 2009-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101924052A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 杨欣;孙勤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/956 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 快速 检测 外延 图形 漂移 缺陷 方法 | ||
1.一种快速检测外延图形漂移缺陷的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)光刻；
(2)刻蚀定义出离子注入区图形；
(3)采用小分子量利于低温激活的离子注入源进行离子注入，所述低温为1150℃以下；
(4)去胶；
(5)外延生长，对步骤(3)的注入离子进行激活；
(6)怀特刻蚀；
(7)用电子扫描电镜观测外延图形漂移缺陷。
2.如权利要求1所述的快速检测外延图形漂移缺陷的方法，其特征在于，步骤(1)采用KrF光刻胶，形成光刻胶的厚度为3000～20000埃。
3.如权利要求1所述的快速检测外延图形漂移缺陷的方法，其特征在于，步骤(2)采用干法刻蚀。
4.如权利要求1所述的快速检测外延图形漂移缺陷的方法，其特征在于，步骤(3)中所述的离子注入源为硼、磷、或砷。
5.如权利要求1或2所述的快速检测外延图形漂移缺陷的方法，其特征在于，步骤(3)采用硼离子10Kev～100Kev，1E12～1E16，倾斜0～7度角注入。
6.如权利要求1所述的快速检测外延图形漂移缺陷的方法，其特征在于，步骤(4)采用湿法洗净去胶。
7.如权利要求1所述的快速检测外延图形漂移缺陷的方法，其特征在于，步骤(5)中外延生长时的温度为700℃～1200℃，利用该温度对步骤(3)的注入离子进行激活。
8.如权利要求1所述的快速检测外延图形漂移缺陷的方法，其特征在于，步骤(6)采用的怀特刻蚀溶液由300ml氢氟酸、150ml硝酸、75g铬酸锰、10g硝酸铜、300ml去离子水和300ml醋酸组成，刻蚀速率为0.9-1微米/分钟，对硅片图形注入区定位做横截面切片，该切片是怀特刻蚀外延层厚度的30％，之后用去离子水冲洗，再用氮气干燥。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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