[发明专利]提高SONOS闪存数据保存能力的结构及方法

权利要求书

1.一种提高SONOS闪存数据保存能力的结构，包括：

位于底部的隧穿氧层和位于顶部的高温热氧化层，

其特征在于，

在隧穿氧层和高温热氧化层中间还包括上下两层电荷存储层；

在所述的两层电荷存储层中间有电荷陷阱层。

2.如权利要求1所述的提高SONOS闪存数据保存能力的结构，其特征在于，所述电荷存储层和电荷陷阱层为氮化膜；

所述的氮化膜富含硅，所述富含硅的氮化膜是指制备氮化膜时二氯二氢硅与氨气的比例大于1∶3所形成的氮化膜。

3.如权利要求1所述的提高SONOS闪存数据保存能力的结构，其特征在于，所述隧穿氧层的厚度为15-30埃；

所述高温热氧化层的厚度为30-80埃。

4.如权利要求1所述的提高SONOS闪存数据保存能力的结构，其特征在于，所述下层电荷存储层的厚度为30～50埃；

所述上层电荷存储层的厚度为30～50埃。

5.如权利要求1所述的提高SONOS闪存数据保存能力的结构，其特征在于，所述中间电荷陷阱层的厚度为10～20埃。

6.如权利要求1所述的提高SONOS闪存数据保存能力的结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

制备底部隧穿氧化层；

在所述底部隧穿氧化层以上制备下层电荷存储层；

在所述下层电荷存储层以上制备电荷陷阱层；

在所述电荷陷阱层以上制备上层电荷存储层；

在所述上层电荷存储层以上制备栅电极。

7.如权利要求6所述的提高SONOS闪存数据保存能力的结构的制备方法，其特征在于，所述制备电荷存储层步骤中使用的气体中二氯二氢硅DCS与氨气NH3的比例为1∶2～1∶5。

8.如权利要求6所述的提高SONOS闪存数据保存能力的结构的制备方法，其特征在于，所述制备电荷陷阱层步骤中使用的气体中二氯二氢硅DCS与氨气NH3的比例为1∶2～1∶5。

9.如权利要求6所述的提高SONOS闪存数据保存能力的结构的制备方法，其特征在于，制备隧穿氧化层采用热氧化方法。

10.如权利要求6所述的提高SONOS闪存数据保存能力的结构的制备方法，其特征在于，制备电荷存储层采用热氧化方法。