[发明专利]可节约测试成本的集成电路互连线电阻电容测试结构和测试方法

权利要求书

1.一种互连线测试结构，其特征在于，包括：

多个子测试结构，所述子测试结构包含由电阻互连线和电容互连线构成的卡姆明德结构，且所述电阻互连线两端均连接有子电阻测量端及测量开关，所述子电阻测量端及测量开关并联；其中

各子测试结构位于不同金属层；

各子测试结构中，电阻互连线两端的测量开关分别连接至两个主电阻测量端，以及

各个位于奇数金属层的子测试结构的电容互连线连接至第一电容测量端，各个位于偶数金属层的子测试结构的电容互连线连接至第二电容测量端。

2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，各子测试结构在其相邻金属层的投影与该相邻金属层中的子测试结构完全重叠。

3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，各子测试结构在其相邻金属层的投影的上下边界，分别与该相邻金属层的子测试结构的上下边界处于相同直线；以及

所述投影相对于所述相邻金属层的子测试结构，沿着上下边界所在直线有偏移，所述偏移的距离需使得所述投影中至少有一条电容互连线的竖直线的投影，包含或包含于所述相邻金属层子测试结构中电阻互连线的一条竖直线。

4.如权利要求3所述的测试结构，其特征在于，电容互连线的线间距及线宽分别与电阻互连线的线间距及线宽相等；以及所述偏移的距离等于电容互连线线间距与线宽之和的N倍，N为自然数。

5.一种采用权利要求1～4中任一项权利要求所述的测试结构，测量多层互连线的层内电阻的方法，其特征在于，包括：

在待测量子测试结构的测量开关闭合的情况下，对两个主电阻测量端分别施加数值不同的电压；

基于子电阻测量端，测量待测量子测试结构的电阻互连线中的电流；

由所述电压的差值除以测量出的电流值，获得互连线的层内电阻值。

6.一种采用权利要求1～4中任一项权利要求所述的测试结构，测量多层互连线的层内电容的方法，其特征在于，包括：

在待测量子测试结构的测量开关断开的情况下，在待测量子测试结构的子电阻测量端施加第一电压；

在待测量子测试结构中电容互连线连接的电容测量端施加第二电压，其中第二电压与第一电压的电压值不相等；

测量所述待测量子测试结构中子电阻测量端，及所述电容互连线连接的电容测量端之间的电容值，作为互连线的层内电容值。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：

断开所述待测量子测试结构外其它子测试结构的测量开关；

在所述其它子测试结构的子电阻测量端施加第二电压。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括在另一个电容测量端上施加第一电压的步骤。

9.一种采用权利要求1、2或4所述的测试结构，测量多层互连线的层间电容的方法，其特征在于，包括：

在待测量子测试结构及其相邻子测试结构的测量开关断开的情况下，对所述待测量子测试结构的子电阻测量端施加第三电压；

对所述相邻子测试结构中电容互连线连接的电容测量端施加第四电压，所述第三电压与第四电压的电压值不相等；

测量所述子电阻测量端及电容测量端之间的电容，作为该待测量子测试结构所属金属层与其相邻金属层中的互连线层间电容。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：

分别测量出所述待测量子测试结构外其它各个子测试结构所属金属层与相邻金属层中互连线的电容；

根据测量得到的电容值等于对应子测试结构所属金属层与其上层相邻金属层中互连线层间电容值，及其下层相邻金属层中互连线层间电容值之和的关系，计算出各个子测试结构与上方或下方相邻金属层的层间电容。