[发明专利]晶圆测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体测试领域，特别涉及一种晶圆测试方法。

背景技术

目前，晶圆图(Wafer map)被广泛的用于晶圆的CP(circuit probe)测试中，根据晶圆图获取的CP测试结果，可用于数据分析(data analysis)，芯片切割(Die saw)，芯片拾取(Die pickup)等，可以提高工作效率。

半导体制作技术领域，晶圆通常指制作集成电路所用的硅片，在晶圆上制作集成电路的过程中，为了工艺制作的方便，晶圆会被区分为若干个曝光场(Shot)，通常将Shot作为生产中的基本单位，比较典型的就是基本的曝光单位(photograph)，其在晶圆上是周期性重复排列的。每一个基本的Shot单元中，又包含有一个或者一个以上的芯片(Die)，在晶圆上的集成电路全部制作完成之后，晶圆会被切割成若干个芯片(Die)，每个Die中都包含一个独立的能够实现预定功能的集成电路，其是进行封装和测试的基本单元。在对晶圆进行封装和测试过程中，要求Die在Wafer上是二维规则排列的，每个Die有一个座标(位于晶圆图的第几排第几列)，测试程序根据座标(第几排第几列)以及间距(排与排之间的间距，列于列之间的间距)可以准确地定位不同的Die。

常规产品的晶圆图参考图1所示，其中，10表示一个Shot单位，晶圆图中的各个Shot是规则排列的，每一个Shot单元，又包括若干个Die芯片11。常规产品的每片晶圆只包括某一特定客户的某一种特定芯片，每个Shot中各个Die是相同的，并且是均匀，规则排列的，因此，进行测试的过程中，可以直接定位各个Die并对其进行测试。本说明书所绘的所有附图中，为了简便，省略掉所有晶圆图周边集成电路制作不完整的部分Die，只表示出切割后电路结构完整的部分Die所在的区域。

但是，对于某些特殊的晶圆产品，例如多项目晶圆产品(Multi-Project Wafer，MPW)和工艺考核载体的晶圆产品(Technology qualification vehicle，TQV)，包含来自多个不同客户、不同部门设计的不同目的die和测试结构。这些die和测试结构尺寸大小不一，这些die和测试结构在Shot中的位置排列被统筹安排，以充分利用Shot的空间。这种安排通常造成某一特定客户的多颗版图设计完全相同的芯片在Shot中的排列是不规则的，造成测试，数据分析，切割，以及封装过程中的困难。参考图2所示，由于其他不同产品的存在，版图设计完全相同的多个芯片，芯片21，芯片22和芯片23在一个Shot单元中的排列是不规则的。

对于类似的芯片排列不规则的晶圆产品，一个Shot单元中的Die并不相同，即使相同的Die在wafer上的分布也不满足二维规则排列的要求，因此无法直接定位这些相同的Die并对其进行测试，只有每次取其中一个分别测试，这就需要设定不同的测试程序，分次进行测试，不仅降低了进行测试的效率，而且无法产生统一的晶圆图，切割、拾取过程无法根据测试结果自动进行，需要手工操作，很容易产生错误。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种晶圆测试方法，对于芯片排列不规则的晶圆产品，通过制作虚拟晶圆图，解决了现有的测试方法中需要对每个Die单独设定测试程序，导致的测试效率低，并且容易出现错误的问题。

本发明提供一种晶圆测试方法，包括：

提供含有一个以上Shot的晶圆，每个Shot中含有一个以上的真实Die；

将每个Shot分成一个以上虚拟Die，各个虚拟Die周期性重复，并且各个虚拟Die大小相同，真实Die与Die间对应点之间在长度和宽度方向的间距分别是虚拟Die长或者宽的整数倍；

在所述一个以上真实Die中分别选取一代表点代表真实Die在Shot中的位置，所述各代表点在真实Die上的位置对应，根据各代表点的位置将真实die投射至虚拟Die，并将所述虚拟Die标记为1，其余虚拟Die标记为0，标记为1和0的所有虚拟Die组成虚拟晶圆图；

根据所述的虚拟晶圆图测试所述晶圆。

作为优选方案，虚拟Die的长度采用所述方法获取：步骤一：分别获取真实Shot的长度、任意一真实Die与其它真实Die的对应点在长度方向的间距，步骤二：对步骤一中获取的所有值求最大公约数，即为虚拟Die的长度；

虚拟Die的宽度采用所述方法获取：步骤一：分别获取真实Shot的宽度、任意一真实Die与其它真实Die的对应点在宽度方向的间距，步骤二：对步骤一中获取的所有值求最大公约数，即为虚拟Die的宽度。