[发明专利]晶圆测试方法

权利要求书

1.一种晶圆测试方法，其特征在于，包括：

提供含有一个以上曝光场Shot的晶圆，每个Shot中含有一个以上的真实芯片Die；

将每个Shot分成一个以上虚拟Die，各个虚拟Die周期性重复，并且各个虚拟Die大小相同，真实Die与Die间对应点之间在长度和宽度方向的间距分别是虚拟Die长或者宽的整数倍；

在所述一个以上真实Die中分别选取一代表点代表真实Die在Shot中的位置，所述各代表点在真实Die上的位置对应，根据各代表点的位置将真实die投射至虚拟Die，并将所述虚拟Die标记为1，其余虚拟Die标记为0，标记为1和0的所有虚拟Die组成虚拟晶圆图；

根据所述的虚拟晶圆图测试所述晶圆。

2.根据权利要求1所述晶圆测试方法，其特征在于，

虚拟Die的长度采用所述方法获取：步骤一：分别获取真实Shot的长度、任意一真实Die与其它真实Die的对应点在长度方向的间距，步骤二：对步骤一中获取的所有值求最大公约数，即为虚拟Die的长度；

虚拟Die的宽度采用所述方法获取：步骤一：分别获取真实Shot的宽度、任意一真实Die与其它真实Die的对应点在宽度方向的间距，步骤二：对步骤一中获取的所有值求最大公约数，即为虚拟Die的宽度。

3.根据权利要求1所述晶圆测试方法，其特征在于，

虚拟Die的长度采用所述方法获取：步骤一：分别获取真实Shot的长度、任意一真实Die与其它真实Die的对应点在长度方向的间距，步骤二：对步骤一中获取的所有值求最大公约数；步骤三：获取虚拟Die长度校正参数，所述的校正参数根据真实Die中焊垫pad的尺寸以及晶圆测试设备探针与pad的接触面积确定；步骤四：比较步骤二中算出的最大公约数和步骤三获取的校正参数，较大的值即为虚拟Die的长度；

虚拟Die的宽度采用所述方法获取：步骤一：分别获取真实Shot的宽度、任意一真实Die与其它真实Die的对应点在宽度方向的间距，步骤二：对步骤一中获取的所有值求最大公约数，步骤三：获取虚拟Die宽度校正参数，所述的校正参数根据真实Die中焊垫pad的尺寸以及晶圆测试设备探针与pad的接触面积确定；步骤四：比较步骤二中算出的最大公约数和步骤三获取的校正参数，较大的值即为虚拟Die的宽度。

4.根据权利要求3所述晶圆测试方法，其特征在于，校正参数的在长度方向的值等于：K*(pad在长度方向的截面长度-探针在长度方向与pad接触面的截面长度)/2；校正参数的在宽度方向的值等于：k*(pad在宽度方向的截面长度-探针在宽度方向与pad接触面的截面长度)/2，其中K大于0小于等于1，为安全系数。

5.根据权利要求1所述晶圆测试方法，其特征在于，根据所述的虚拟晶圆图测试所述晶圆的步骤中只需测试所述标记为1的虚拟Die。

6.根据权利要求1所述晶圆测试方法，其特征在于，还包括如下步骤：根据所述的测试结果分析所述测试数据。

7.根据权利要求1所述晶圆测试方法，其特征在于，还包括如下步骤：根据所述的虚拟晶圆图以及测试结果切割所述晶圆。

8.根据权利要求1所述晶圆测试方法，其特征在于，还包括如下步骤：拾取所述切割后的晶圆。