[发明专利]一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM

权利要求书

1.一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM，包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线、写位线、读位线以及等效寄生电容；写MOS晶体管的栅极连接于写字线，写MOS晶体管的漏端/源端连接于写位线，写MOS晶体管的源端/漏端连接于所述等效寄生电容的存储电荷端，读MOS晶体管的栅极连接于所述等效寄生电容的存储电荷端，读MOS晶体管的漏端/源端连接于读位线，读MOS晶体管的源端/漏端连接于读字线；其特征在于，还包括置于所述等效寄生电容与开关管的栅极之间的隔离MOS管，所述等效寄生电容的存储电荷端通过隔离MOS管传输电平控制所述可编程逻辑器件的开关管的状态。

2.根据权利要求1所述的增益单元eDRAM，其特征在于，所述等效寄生电容为写MOS晶体管的有源区寄生电容、读MOS晶体管的栅电容、隔离MOS管的有源区电容中的一种，或者为写MOS晶体管的有源区寄生电容、读MOS晶体管的栅电容、隔离MOS管的有源区电容的组合。

3.根据权利要求1所述的增益单元eDRAM，其特征在于，所述隔离MOS管为NMOS晶体管或者PMOS晶体管。

4.根据权利要求1所述的增益单元eDRAM，其特征在于，所述写MOS晶体管和读MOS晶体管均为PMOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的增益单元eDRAM，其特征在于，所述写MOS晶体管和读MOS晶体管均为NMOS晶体管。

6.根据权利要求1所述的增益单元eDRAM，其特征在于，所述可编程逻辑器件为现场可编程门阵列。

7.根据权利要求1所述的增益单元eDRAM，其特征在于，所述隔离MOS管的栅极受选通线控制。

8.根据权利要求7所述的增益单元eDRAM，其特征在于，所述写字线、写位线、读字线、读位线和选通线受外围存储控制电路模块的控制。