[发明专利]可编程只读存储器结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明属于一种半导体工艺，尤其涉及一种可编程只读存储器结构及其制作方法。

背景技术

只读存储器(Read only memory，ROM)元件是一种用来存储数据的半导体元件，由多个存储单元(memory cell)所组成，如今已广泛应用于计算机的数据存储。一般根据数据存储方式，可将只读存储器分为罩幕式只读存储器(Mask Rom)、一次性可编程只读存储器(OTP ROM)、多次可编程只读存储器(MTPROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)以及电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)等数种。

请参考图1，图1是现有技术中可编程只读存储器(PROM)的浮动栅极的结构示意图，从图上可以看出，该PROM包括硅基底21；栅极氧化层22，位于所述硅基底21上；浮动栅极23，位于所述栅极氧化层22上，所述浮动栅极23为矩形结构；氧化层24，位于所述浮动栅极23外表面。现有技术会把浮动栅极23直接处理成矩形，从图上可以看到，在浮动栅极23的拐角处是形成一个直角，而且，在浮动栅极23外表面生长的氧化层24在拐角处也很薄。由于拐角处是直角，在有电子经过时，很容易产生尖端放电的现象，再加上拐角处的氧化层比较薄，因此此处的氧化层很容易被击穿，造成器件的损坏。

发明内容

为了解决以上所提到的浮动栅极尖端放电的问题，本发明提供一种能防止浮动栅极中尖端放电现象出现的方法。

为了达到上述目的，本发明提出一种可编程只读存储器结构，包括硅基底；栅极氧化层，位于所述硅基底上；浮动栅极，位于所述栅极氧化层上，所述浮动栅极为弧形结构；氧化层，位于所述浮动栅极外表面。

可选的，所述浮动栅极为半圆形结构。

可选的，在所述栅极氧化层上且位于所述浮动栅极一侧还有一控制栅极。

可选的，所述控制栅极为垂直结构。

可选的，所述控制栅极的外表面也淀积有一层氧化层。

可选的，在所述浮动栅极和所述栅极氧化层之间，还设置有栅侧墙隔离层。

为了达到上述目的，本发明还提出一种可编程只读存储器制作方法，包括以下步骤：步骤S1：提供一硅基底；步骤S2：在所述硅基底表面形成一栅极氧化层；步骤S3：在所述栅极氧化层表面，用干法刻蚀制作弧形结构的浮动栅极；步骤S4：在所述浮动栅极表面形成一层氧化层。

可选的，所述浮动栅极为半圆形结构。

可选的，在步骤S4之后，还有步骤S5：在所述栅极氧化层表面且在所述浮动栅极一侧，用干法刻蚀制作控制栅极。

可选的，所述控制栅极为垂直结构。

可选的，在所述步骤S5之后，还有步骤S6：在所述控制栅极表面形成一层氧化层。

可选的，在所述浮动栅极和所述栅极氧化层之间，还设置有栅侧墙隔离层。

本发明可编程只读存储器结构及其制作方法的有益效果为：本发明将浮动栅极设计成圆弧形，避免了尖端放电情况的发生，从而保护了存储器，提高了存储器的使用寿命。

附图说明

图1是现有技术可编程只读存储器结构示意图；

图2是本发明可编程只读存储器第一实施例的结构示意图；

图3是本发明可编程只读存储器第二实施例的结构示意图；

图4是本发明可编程只读存储器制作方法的流程图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施方式对本发明可编程只读存储器结构及其制作方法作进一步的详细说明。

首先，请参考图2，图2是本发明可编程只读存储器第一实施例的结构示意图，从图2中可以看出，本发明包括硅基底11；栅极氧化层12，位于所述硅基底11上；浮动栅极13，位于所述栅极氧化层12上，所述浮动栅极13为弧形结构，弧形结构的浮动栅极，避免了尖端放电情况的发生，从而对存储器起到保护作用；氧化层14，位于所述浮动栅极13的外表面，保护所述浮动栅极。优选的，所述浮动栅极13为半圆形结构，即如图3所示，图3是本发明可编程只读存储器第二实施例的结构示意图。另外，在浮动栅极13的一侧，在栅极氧化层12上，还有一控制栅极(图中未示)，所述控制栅极的外表面也有一层氧化层，起到保护作用。控制栅极和现有技术一样，为垂直结构的栅极。另外，在所述浮动栅极13和所述栅极氧化层12之间，还设置有栅侧墙隔离层15，所述栅侧墙隔离层15一般用于控制存储器的电学性能。