[发明专利]可编程只读存储器结构及其制作方法

权利要求书

1.一种可编程只读存储器结构，其特征在于包括

硅基底；

栅极氧化层，位于所述硅基底上；

浮动栅极，位于所述栅极氧化层上，所述浮动栅极为弧形结构；

氧化层，位于所述浮动栅极外表面。

2.根据权利要求1所述可编程只读存储器结构，其特征在于所述浮动栅极为半圆形结构。

3.根据权利要求1所述可编程只读存储器结构，其特征在于在所述栅极氧化层上且位于所述浮动栅极一侧还有一垂直结构的控制栅极。

4.根据权利要求3所述可编程只读存储器结构，其特征在于所述控制栅极的外表面也淀积有一层栅极氧化层。

5.根据权利要求1所述可编程只读存储器结构，其特征在于在所述浮动栅极和所述栅极氧化层之间，还设置有栅侧墙隔离层。

6.一种可编程只读存储器制作方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤S1：提供一硅基底；

步骤S2：在所述硅基底表面形成一栅极氧化层；

步骤S3：在所述栅极氧化层表面，用干法刻蚀制作弧形结构的浮动栅极；

步骤S4：在所述浮动栅极表面形成一层栅极氧化层。

7.根据权利要求6所述可编程只读存储器制作方法，其特征在于所述浮动栅极为半圆形结构。

8.根据权利要求6所述可编程只读存储器制作方法，其特征在于在步骤S4之后，还有步骤S5：在所述栅极氧化层表面且在所述浮动栅极一侧，用干法刻蚀制作垂直结构的控制栅极。

9.根据权利要求8所述可编程只读存储器制作方法，其特征在于在所述步骤S5之后，还有步骤S6：在所述控制栅极表面形成一层栅极氧化层。

10.根据权利要求6所述可编程只读存储器制作方法，其特征在于在所述浮动栅极和所述栅极氧化层之间，还设置有栅侧墙隔离层。