[发明专利]半导体封装体的堆叠构造有效

专利信息
申请号: 200910051149.1 申请日: 2009-05-12
公开(公告)号: CN101887885A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 许宏达;叶昶麟;赵健 申请(专利权)人: 日月光封装测试(上海)有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/13;H01L23/488;H01L23/48;H01L23/34
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 翟羽
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 堆叠 构造
【权利要求书】:

1.一种半导体封装体的堆叠构造,其特征在于:所述堆叠构造包含:

一第一封装体,具有一第一电路板、至少一第一芯片及至少一第一封装胶体;所述第一电路板设有至少一凹穴、数个转接焊垫及数个输出端;所述凹穴容置所述第一芯片,所述第一封装胶体填满所述凹穴并包覆所述第一芯片;所述转接焊垫形成于所述第一电路板的上表面未设置有凹穴的位置;及所述输出端设于所述第一电路板的下表面;

数个转接元件;及

一第二封装体,所述第二封装体的下表面通过所述转接元件电性连接至所述第一封装体的第一电路板的转接焊垫。

2.如权利要求1所述的半导体封装体的堆叠构造,其特征在于:所述第一电路板的上表面在所述凹穴的周围设有数个打线焊垫,所述第一芯片通过数条导线电性连接所述打线焊垫。

3.如权利要求1所述的半导体封装体的堆叠构造,其特征在于:所述第一芯片的上表面的高度等于或小于所述第一电路板的上表面的高度。

4.如权利要求1所述的半导体封装体的堆叠构造,其特征在于:所述第一电路板的凹穴的内壁面设有一散热镀层。

5.如权利要求1所述的半导体封装体的堆叠构造,其特征在于:所述第一电路板的凹穴的内底面设有数个倒装芯片焊垫,所述第一芯片通过数个凸块电性连接所述倒装芯片焊垫。

6.如权利要求1所述的半导体封装体的堆叠构造,其特征在于:所述第一电路板的凹穴的内壁面形成一阶状部,所述阶状部上设有数个打线焊垫,所述第一芯片通过数条导线电性连接所述阶状部上的打线焊垫。

7.如权利要求1所述的半导体封装体的堆叠构造,其特征在于:所述转接元件为转接金属球。

8.如权利要求1所述的半导体封装体的堆叠构造,其特征在于:所述第一封装体另包含一散热片,所述散热片包埋于所述第一封装胶体内,所述散热片的一端接触所述第一芯片,及所述散热片的另一端露出所述第一封装胶体外。

9.如权利要求1所述的半导体封装体的堆叠构造,其特征在于:所述第一封装体另包含一散热镀膜,所述散热镀膜涂布于所述第一封装胶体的表面。

10.如权利要求1所述的半导体封装体的堆叠构造,其特征在于:所述第二封装体具有一第二电路板、至少一第二芯片及至少一第二封装胶体,所述第二电路板具有至少一凹穴,以容置所述第二芯片。

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