[发明专利]掩膜修复方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体工艺，尤其涉及一种掩膜修复方法。

背景技术

半导体制造流程可以分为七道工序，分别为制造晶棒、生产晶圆、晶圆涂膜、晶圆的显影和刻蚀、掺杂、晶圆针测和切割封装，其中，晶圆的显影即在硅晶片表明涂上光致抗蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解，在晶片的上方放置掩膜板，使得紫外光通过掩膜板中透光的部分照射到晶片上，晶片上被紫外光照射的部分被溶解，之后用溶剂将被溶解的部分冲走，剩下的部分就与掩膜板上遮光物的形状一样了。

一块完整的掩膜板，比如边长为6英寸的正方形掩膜板，可以根据客户要求的芯片的大小，被分割成若干排列整齐大小相同的掩膜片，每个掩膜片上利用光刻机刻出相同的所需要的图案，然而在实际操作中，有可能会出现某个掩膜片上的某个孔没有被刻出来，此时，需要将有问题的掩膜片放到掩膜修复机上面去进行修复，掩膜修复机修复时，有个前提，即在待修复孔的旁边，一定要有个参照图形，通过确定待修复孔和该参照图形之间的相对位置从而确定待修复孔的精确位置。目前掩膜修复机的视窗大多为20um*20um，很有可能出现掩膜片上待修复孔周围20um的范围内没有任何的参照图形，如果没有参照图形的话，就没有办法对待修复的孔进行精确定位，自然也就无法修复。

发明内容

本发明是为了解决现有技术中掩膜片上待修复孔周围没有参照图形从而无法给修复孔精确定位的问题。

为了实现上述目的，本发明提供了一种掩膜修复方法，通过掩膜修复机对掩膜板上的一待修复掩膜片进行修复，包括：确定待修复孔在待修复掩膜片上的大概位置；在同一掩膜板上选择一完好的参照掩膜片；在所述待修复掩膜片和所述参照掩膜片的同一位置光刻一相同的标记，所述标记和所述待修复孔之间的距离不超过掩膜修复机的视窗大小；计算所述参照掩膜片上与待修复孔相对应的孔和所述标记间的距离；计算所述待修复孔的位置；修复所述待修复掩膜片；填充所述待修复掩膜片和所述参照掩膜片上的标记。

可选的，所述掩膜修复机的视窗为正方形，所述正方形的边长范围为20um至40um。

可选的，所述标记为十字标记。

可选的，所述待修复孔位于所述十字标记的任意一边所在的直线上。

可选的，所述标记为双点标记。

可选的，所述双点标记中的两点的连线不经过所述待修复孔。

由于采用了上述技术方案，与现有技术相比，本发明具有以下优点：用另一个相同的完好的掩膜片做参照并在相同的位置光刻出标记，从而精确的得到待修复孔的位置，实现了在待修复孔周围没有参考图形的情形下，依然可以对待修复孔进行精确的修复。

附图说明

图1为本发明掩膜修复方法的流程图；

图2为本发明掩膜修复方法的第一实施例；

图3为本发明掩膜修复方法的第二实施例；

图4为本发明掩膜修复方法的第二实施例的实测数据图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

首先，请参考图1，图1为本发明掩膜修复方法的流程图，从图上可以看出，本发明包括以下步骤：步骤10：确定待修复孔在待修复掩膜片上的大概位置，具体做法如下：当晶片通过显影工序之后，通过检测晶片的电性参数找出晶片上存在的缺陷的位置，晶片上缺陷所在位置在掩膜片上的对应位置，即为待修复孔在掩膜片上的大概位置；步骤11：在同一掩膜板上选择一完好的参照掩膜片，一块掩膜板上会根据客户的要求被切割成大小相同的掩膜片，因此，所述参照掩膜片和待修复的掩膜片的大小以及其上存在的孔的位置都是一模一样的；步骤12：在所述待修复掩膜片和所述参照掩膜片的对应位置光刻一相同的标记，所述标记为在二维平面上为确定待修复孔的位置提供参考，优选的，所述标记为十字标记或者双点标记，所述双点标记中的两点的连线不经过所述待修复孔，这样的两种情况会在后面的实施例中做详细的说明，所述标记和所述待修复孔之间的距离不超过掩膜修复机的视窗大小，确保标记和待修复孔都在视窗内，便于修复，所述掩膜修复机的视窗为正方形，所述正方形的边长范围为20um至40um；步骤13：计算所述参照掩膜片上与待修复孔相对应的孔和所述标记间的距离；步骤14：计算所述待修复孔的位置，计算的具体方法和标记的选择有关，一般是在标记上选择两点，由步骤13计算出待修复的点和在标记上选择的两点之间的距离，从而建立坐标系得出待修复孔的准确位置；步骤15：修复所述待修复掩膜片，此过程在掩膜修复机上进行，即在计算得出的待修复孔的位置处光刻出所需的孔；步骤16：填充所述待修复掩膜片和所述参照掩膜片上的标记，此过程应用化学气相沉淀(CVD)的方法对标记进行填充。