[发明专利]半导体工艺的监控方法有效
| 申请号： | 200910049564.3 | 申请日： | 2009-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101866868A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 赵猛;王津洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/28;H01L21/336;G05B19/048 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 监控 方法 | ||
1.一种半导体工艺的监控方法，其特征在于，包括：
根据栅极边缘的氧化厚度与栅极的再氧化时间的关系，建立栅极边缘的氧化厚度的变化模型；
获得栅极氧化的厚度在不同取值下的半导体器件的性能参数，得到栅极边缘的氧化厚度与半导体器件的性能参数的变化关系；
根据栅极边缘的氧化厚度的变化模型和栅极边缘的氧化厚度与半导体性能参数的变化关系，参照所需要满足的半导体器件的性能参数，控制栅极的再氧化时间。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺的监控方法，其特征在于，所述栅极边缘的氧化厚度与栅极的再氧化时间的关系具体为二者成正相关的比例关系。
3.根据权利要求1所述的半导体工艺的监控方法，其特征在于，所述栅极边缘的氧化厚度与半导体器件的性能参数的变化关系具体为栅极边缘的氧化厚度的变化量与栅极的性能参数的变化量成线性的比例关系。
4.根据权利要求1所述的半导体工艺的监控方法，其特征在于，所述性能参数为半导体器件的饱和电流。
5.根据权利要求1所述的半导体工艺的监控方法，其特征在于，所述性能参数为半导体器件的饱和电流和阈值电压。
6.根据权利要求1所述的半导体工艺的监控方法，其特征在于，所述性能参数为半导体器件的饱和电流、阈值电压和寄生电容。
7.一种半导体工艺的监控方法，其特征在于，包括：
根据栅极边缘的氧化厚度与多晶条宽的变化关系，建立栅极边缘的氧化厚度的变化模型；
获得栅极氧化的厚度在不同取值下的半导体器件的性能参数，得到栅极边缘的氧化厚度与半导体器件的性能参数的变化关系；
根据栅极边缘的氧化厚度的变化模型和栅极边缘的氧化厚度与半导体性能参数的变化关系，参照所需要满足的半导体器件的性能参数，控制多晶条宽。
8.根据权利要求7所述的半导体工艺的监控方法，其特征在于，所述栅极边缘的氧化厚度与多晶条宽的变化关系具体为栅极边缘的氧化厚度的变化量与多晶条宽的变化量成正相关的比例关系。
9.根据权利要求7所述的半导体工艺的监控方法，其特征在于，所述栅极边缘的氧化厚度与半导体器件的性能参数的变化关系具体为栅极边缘的氧化厚度的变化量与栅极的性能参数的变化量成线性的比例关系。
10.根据权利要求7所述的半导体工艺的监控方法，其特征在于，所述性能参数为半导体器件的饱和电流。
11.根据权利要求7所述的半导体工艺的监控方法，其特征在于，所述性能参数为半导体器件的饱和电流和阈值电压。
12.根据权利要求7所述的半导体工艺的监控方法，其特征在于，所述性能参数为半导体器件的饱和电流、阈值电压和寄生电容。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
