[发明专利]铁酸钴磁性厚膜的制备方法无效
| 申请号: | 200910046943.7 | 申请日: | 2009-03-03 |
| 公开(公告)号: | CN101567261A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
| 发明(设计)人: | 翟继卫;莫伟锋;张玲 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
| 主分类号: | H01F41/14 | 分类号: | H01F41/14;H01F1/00 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所 | 代理人: | 许亦琳 |
| 地址: | 200092上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 铁酸钴 磁性 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于电子材料与器件领域,具体涉及一种铁酸钴磁性厚膜的制备方法。
背景技术
在尖晶石结构的铁氧体中,由于尖晶石纳米铁氧体具有良好的磁性能而被广泛应用于信 息存储系统、医疗诊断技术、磁流体技术、磁致热和磁致冷等方面。
钴铁氧体CoFe2O4具有较高的磁晶各向异性、矫顽磁场、饱和磁化强度并且化学性能稳 定,因而可以利用CoFe2O4的这些性质制作功能器件。目前,磁电材料的研究主要集中在 CoFe2O4和NiFe2O4上。其中,铁酸钴(CoFe2O4,缩写为CFO)是一种具有高磁晶各向异性、 矫顽磁场和饱和磁化强度等优点的磁性材料,因而被广泛应用于电容器、传感器等领域。
与块体材料相比,膜材料由于尺寸小、质量轻所获得同样电磁场所需的驱动电压大大降 低。其中,厚膜材料较薄膜材料有更低的表面应力,使其磁学特性和抗老化能力得到保证。 此外,薄膜器件难以提供驱动器、传感器等器件所需要足够大的驱动力或位移。因此,制备 具有一定厚度的磁电厚膜材料目前已成为重要的研究工作。
目前研究和使用较多的厚膜的制备技术主要有丝网印刷、电泳沉积、流延及溶胶凝胶 法。电泳沉积以其成膜设备简单、成膜面积大、器件形状不受限制等优势而为人们所广泛 采用。到目前为止,采用电泳沉积方法制备铁酸钴磁性厚膜的文献未见报道,因而制备CFO 磁性厚膜具有理论和现实的意义。
发明内容
本发明的目的是提供一种铁酸钴磁性厚膜的制备方法。
本发明的技术原理:
本发明的电泳沉积方法是利用电泳动现象,即:胶体粒子或颗粒在外加电场作用下在分 散介质中作定向移动,达到电极基材后发生聚沉而形成较密集的微团结构的过程。利用水 热制备的CoFe2O4纳米粉体电泳沉积后经高温热处理制得CoFe2O4磁性厚膜。
本发明的铁酸钴磁性厚膜的制备方法包括以下步骤:
1)将铁酸钴分散在溶剂中制成浓度均匀的铁酸钴悬浮液;
2)将电极放置在分散好的铁酸钴悬浮液中,保持两极板平行;
3)在恒电场条件下,电泳沉积15~30min,获得铁酸钴磁性厚膜;
4)将电泳完毕后所得厚膜在100~300Mpa的压力条件下进行等静压处理;
5)将经过等静压处理的厚膜热处理30~60min。
步骤1)中,所述铁酸钴为铁酸钴纳米粉体,优选为颗粒粒径为70-80nm的铁酸钴纳米 粉体。
步骤1)中,所述溶剂为正丁醇、乙酰丙酮或者乙醇,优选为正丁醇。
步骤1)中,所述铁酸钴悬浮液的质量体积浓度为:5-10g/L。
步骤1)中,所述分散方法为超声分散。
步骤2)中,所述电极为铂金电极或者基片为氧化铝,外面镀有耐高温材料的电极。
步骤5)中,所述热处理的温度为1000℃~1350℃。
本发明的方法制备的磁性厚膜,具有较高的矫顽磁场和磁饱和强度,可应用于制备厚膜 电容,移相器,本发明的铁酸钴磁性厚膜与常规制备的磁性厚膜相比,具有更好的磁性能, 而且具有设备简单、成本低、成膜快、组分易于控制和可大规模制备膜材料的特点。
附图说明
图1是铁酸钴纳米粉体的激光粒度分析。
图2是沉积制备的磁性厚膜X射线衍射图谱(XRD).
图3是沉积制备的磁性厚膜的磁滞回线。
具体实施方式
实施例1
在铂金(Pt)基底上电泳复合沉积CFO的磁电厚膜:
A、所采用的化学原料为铁酸钴纳米粉体,溶剂为正丁醇,先分别称取铁酸钴粉体0.3g, 然后将粉体在60mL正丁醇溶液中搅拌10分钟,再超声分散20分钟形成混合均匀的悬浮 液(悬浮液浓度为5g/L)。
B、将所使用的恒流/恒压电源调至恒流状态,并保持10μA的恒定输出值。
C、将电泳沉积使用的铂金电极固定在电泳槽中,两极板间距为2cm,在电泳过程中始 终保持两极板平行。
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