[发明专利]铁酸钴磁性厚膜的制备方法无效
| 申请号： | 200910046943.7 | 申请日： | 2009-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101567261A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;莫伟锋;张玲 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01F41/14 | 分类号： | H01F41/14;H01F1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 许亦琳 |
| 地址： | 200092上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铁酸钴 磁性 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备铁酸钴磁性厚膜的方法，包括如下步骤：
1)将铁酸钴分散在溶剂中制成浓度均匀的铁酸钴悬浮液；所述溶剂为正丁醇、乙酰丙 酮或者乙醇；所述铁酸钴悬浮液的质量体积浓度为5～10g/L；所述铁酸钴为铁酸钴纳米粉体； 所述铁酸钴纳米粉体的颗粒粒径为70～80nm；
2)将电极放置在分散好的铁酸钴悬浮液中，保持两极板平行；
3)在恒电场条件下，电泳沉积15～30min，获得铁酸钴磁性厚膜；
4)将电泳完毕后所得厚膜在100～300Mpa的压力条件下进行等静压处理；
5)将经过等静压处理的厚膜热处理30～60min。
2.如权利要求1所述的制备铁酸钴磁性厚膜的方法，其特征在于，步骤1)中所述分散方 法为超声分散。
3.如权利要求1所述的制备铁酸钴磁性厚膜的方法，其特征在于，步骤5)中所述热处理 的温度为1000℃～1350℃。
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