[发明专利]交直流两用塞曼效应原子吸收背景校正系统及使用方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种原子吸收分析装置，尤其涉及原子吸收分析装置中的背 景系统较正。

背景技术

本领域人士众所周知，交变磁场塞曼背景校正能获得比直流磁场塞曼背 景校正更高的分析灵敏度，其原因是采用交变磁场在磁场关闭时测量的总吸 收信号中，吸收线没有发生分裂而在直流磁场中，除正常塞曼效应的元素外， 作为测量总吸收信号的P平行分量的吸收线也发生了分裂。因此测定灵敏度 下降。

但是交变磁场是基于磁场通和断的调制进行的，因此它不能实现同时背 景校正，对于一些低温元素测量经常遇到的快速变化的背景信号还会带来误 差。

鉴于交变磁场塞曼背景校正和直流磁场塞曼背景校正的优点和缺点可以 互补的特点，可以将交变磁场塞曼背景校正和直流磁场塞曼背景校正整合到 一套系统里，实现更理想的背景较正。

由本发明人之一参与设计的相关的发明：一种恒定磁场反塞曼效应原子 吸收分析的方法及其装置，专利号ZL200410026878.9，授权公告日，2006年 8月16日。该专利提供了一种优良的直流磁场塞曼背景校正光路结构设计， 可以为将交变磁场塞曼背景校正和直流磁场塞曼背景校正整合到一套系统里 的光路设计基础。

发明内容

本发明的目的在于提供一种交直流两用塞曼效应原子吸收背景较正系 统，同时具有交变磁场塞曼背景校正和直流磁场塞曼背景校正的优点，即具 有分析灵敏度高的特点的同时，能实现同时背景校正，对于一些低温元素测 量经常遇到的快速变化的背景信号基本不会带来误差。

本发明的另一目的还在于提供一种交直流两用塞曼效应原子吸收背景较 正系统的使用方法。

本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：

交直流两用塞曼效应原子吸收背景校正系统，其特征在于，包括一原子 化器，原子化器两侧装有一受控磁场发生装置；所述受控磁场发生装置连接 对受控磁场发生装置进行控制的控制装置；

所述控制装置控制受控磁场发生装置产生的磁场的参数；

还包括一塞曼背景校正光路结构，所述塞曼背景校正光路结构为直流磁 场塞曼背景校正光路结构，包括单色器、偏振棱镜、光检测器；

所述光检测器为分别检测分析光束和参比光束的光检测器。

交直流两用塞曼效应原子吸收背景较正系统的使用方法，其特征在于， 用所述光检测器测量，磁场导通时，实现直流塞曼背景校正；用光检测器测 量，分别在磁场导通和关断时，测量P⊥分量，实现交流塞曼背景校正。

通过原子化器的光束进入单色器，然后由偏振棱镜，将所述光束在空间 上分离成分析光束和参比光束，光检测器分别检测分析光束和参比光束，经 过运算，分别得到直流塞曼背景校正和交流塞曼背景校正的原子吸收吸光度 值。

所述受控磁场发生装置在所述控制装置的控制下，产生横向可变交流/直 流磁场。所述受控磁场为所述交直流两用塞曼效应原子吸收背景校正系统提 供交流/直流磁场。

所述交直流两用塞曼效应原子吸收背景校正系统在使用中，通过受控磁 场发生装置为原子化器提供横向可变交流/直流磁场；

首先通过控制装置打开受控磁场发生装置产生磁场，这时产生的磁感应 强度可能不是理想的磁感应强度，在这种磁感应强度不利于在分析时获得较 高的灵敏度；

接下来通过调整控制装置，调整磁场发生装置产生的磁场参数，进而提 高分析时获得的灵敏度。

本发明由于同时具有交变磁场塞曼背景校正和直流磁场塞曼背景校正的 优点，使两者的诸多缺点得以消除。本发明相对于原有的交变磁场塞曼背景 校正，将光束在空间上分离成分析光束和参比光束，再把所得光束通过光检 测器对两种光束进行检测、数字运算，得到原子吸收吸光度值，具有对于一 些低温元素测量经常遇到的快速变化的背景信号基本不会带来误差的优点。 本发明相对于原有的直流磁场塞曼背景校正，具有磁场参数可以调整的特点， 因此具有分析灵敏度高的特点。

附图说明

图1为原子化器及受控磁场发生装置结构原理图；

图2为交直流两用塞曼效应原子吸收背景较正系统的整体结构示意图；

图3为磁场波形规律性变化与P//分量变化和P⊥分量变化对应关系图；

图4正常塞曼效应的元素的π成分与σ成分在磁场下对应关系图；