[发明专利]交直流两用塞曼效应原子吸收背景校正系统及使用方法

权利要求书

1.交直流两用塞曼效应原子吸收背景校正系统，其特征在于，包括一原子化器，原子化器两侧装有一受控磁场发生装置；所述受控磁场发生装置连接对受控磁场发生装置进行控制的控制装置；所述控制装置控制受控磁场发生装置产生的磁场的参数；

还包括一塞曼背景校正光路结构，所述塞曼背景校正光路结构为直流磁场塞曼背景校正光路结构，包括单色器、偏振棱镜、光检测器；用所述光检测器测量，磁场导通时，实现直流塞曼背景校正；用光检测器测量，分别在磁场导通和关断时，测量P⊥分量，实现交流塞曼背景校正；

所述光检测器为分别检测分析光束和参比光束的光检测器。

2.根据权利要求1所述的交直流两用塞曼效应原子吸收背景校正系统，其特征在于，所述受控磁场发生装置为采用实现零磁场、低磁场和高磁场的调制的三磁场方式的受控磁场发生装置。

3.根据权利要求1所述的交直流两用塞曼效应原子吸收背景校正系统的使用方法，其特征在于，

通过原子化器的光束进入单色器，然后由偏振棱镜，将所述光束在空间上分离成分析光束和参比光束，光检测器分别检测分析光束和参比光束，经过运算，分别得到直流塞曼背景校正和交流塞曼背景校正的原子吸收吸光度值。