[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其 制造方法。

背景技术

液晶显示器作为平板显示器的一种已被广泛的应用在各个领域中。通常， 液晶显示器具有两个含有用于产生电场的电极的基板，以及设置在两基板之 间的液晶层，并通过两基板上的电极控制施加到该液晶层的电场强度来控制 入射光的透射率，从而实现对显示面板亮与暗的控制。

所述两个含有电极的基板分别为薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT) 阵列基板和滤光片基板，其中薄膜晶体管阵列基板上具有控制像素单元的TFT 器件的阵列。在液晶显示面板的生产过程中，为避免静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)对TFT器件的破坏，一般需要在制作过程中将TFT器件的 栅极与源极通过短路杆(Shorting Bar)进行短路。

图1为现有技术中一种薄膜晶体管阵列基板的局部俯视图，图2为图1 的C-C方向的剖视图，如图1和图2所示，在薄膜晶体管阵列基板的非显示 区域内，短路杆6与数据线层4交叠，它们之间隔有介质层(图中未标号)， 由氧化铟锡(Indium-Tin Oxides，ITO)膜层5组成的短路电极线覆盖于包括 通孔1和通孔2在内的钝化层3表面上，ITO膜层5分别与所述通孔1底部的 数据线层4、所述通孔2底部的短路杆6接触，将短路杆6与数据线层4短路 连接，类似的，短路杆6还可以与栅极线层(图中未示出)短路连接，从而 将薄膜晶体管阵列基板显示区域内的TFT器件的栅极或源极短路，而且在电 测(Cell Visual Test)过程中可以通过短路杆向TFT阵列输入测试信号。所述 阵列基板制作并检测完成后，再采用激光将所述短路杆烧断，然后进行下一 步工艺。

然而问题在于，实际生产过程中需要一起刻蚀形成通孔1和通孔2，由于 两个通孔相距较近，曝光两个通孔的图案时对准精度的要求较高，两个通孔 的深度也不相同，需要采用不同透过率的掩模板，而且，在两个相邻较近的 通孔上沉积短路电极线时，制作精度要求高，因此，这样的结构制作难度较 大，不利于提高良率。

此外，由于数据线层4的截面为倒梯形，导致覆盖于钝化层3上的短路 电极线5在短路杆6和数据线层4之间的交界位置(见图1和图2中箭头A) 容易断裂或在电测时该位置容易烧毁，图3为短路杆与栅极线层交界处的电 子显微照片，其中，(a)图中箭头所指为短路电极线断裂，(b)图中箭头所 指为短路电极线烧毁。这种缺陷不仅使短路杆的防静电功能失效，而且导致 电测信号不能正确输入TFT器件中，不能有效的检测薄膜晶体管阵列基板是 否合格。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种薄膜晶体管阵列基板，制作过程较简单， 有利于提高产品的良率。

为解决上述问题，本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

衬底；

所述衬底上的相互交叠的栅极线层和数据线层；

位于所述衬底上非显示区域内的、与所述数据线层交叠的短路杆，所述 短路杆与所述栅极线层位于同一层；

所述短路杆与所述数据线层之间的隔离绝缘的介质层；

覆盖于所述短路杆和所述数据线层上的钝化层；

还包括：横跨所述短路杆和数据线层交界处的通孔，所述通孔的内表面 暴露出短路杆、数据线层、以及所述介质层；

在所述通孔的内表面覆盖的短路电极线，所述短路电极线将所述数据线 层和所述短路杆电性连接。

所述数据线层和所述介质层的界面，与所述通孔内暴露出的数据线层侧 面的夹角为锐角或直角。

所述夹角为45度至60度。

所述通孔平行于衬底方向的形状为哑铃形。

所述通孔的宽度小于所述短路电极线的宽度。

所述短路电极线的宽度大于所述短路杆的宽度。

所述短路电极线与所述短路杆的宽度差小于或等于2微米。

所述短路杆与所述数据线层中的至少两条数据线交叠，每一交叠处的所 述通孔上均覆盖有短路电极线，各个短路电极线均相互连接。

所述短路电极线包括透明导电材料。

本发明还提供另一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

衬底；

所述衬底上的相互交叠的栅极线层和数据线层；