[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效
| 申请号: | 200910046027.3 | 申请日: | 2009-02-05 |
| 公开(公告)号: | CN101800227A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
| 发明(设计)人: | 周刚;方永学;黄长虹 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/52;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/136 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
| 地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板,包括:
衬底;
所述衬底上的相互交叉且中间具有介质层的栅极线层和数据线层;
位于所述衬底上非显示区域内的、与所述数据线层交叉且与所述数据线 层之间具有介质层的短路杆,所述短路杆与所述栅极线层位于同一层;
所述短路杆与所述数据线层之间的隔离绝缘的介质层;
覆盖于所述短路杆和所述数据线层上的钝化层;其特征在于,
还包括:横跨所述短路杆和数据线层交界处的通孔,所述通孔的内表面 暴露出短路杆、数据线层、以及所述介质层;
在所述通孔的表面覆盖的短路电极线,所述短路电极线将所述数据线层 和所述短路杆电性连接。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述数据 线层和所述介质层的界面,与所述通孔内暴露出的数据线层侧面的夹角为锐 角或直角。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述夹角 为45度至60度。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述通孔 平行于衬底方向的形状为哑铃形。
5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述通孔 的宽度小于所述短路电极线的宽度。
6.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述短路 电极线的宽度大于所述短路杆的宽度。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述短路 电极线与所述短路杆的宽度差小于或等于2微米。
8.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述短路 杆与所述数据线层中的至少两条数据线交叠,每一交叠处的所述通孔上均覆 盖有短路电极线,各个短路电极线均相互连接。
9.根据权利要求1至8任一项所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于, 所述短路电极线包括透明导电材料。
10.一种薄膜晶体管阵列基板,包括:
衬底;
所述衬底上的相互交叉且中间具有介质层的栅极线层和数据线层;
位于所述衬底上非显示区域内的、与所述栅极线层交叉且与所述栅极线 层之间具有介质层的短路杆,所述短路杆与所述数据线层位于同一层;
所述短路杆与所述栅极线层之间的隔离绝缘的介质层;
覆盖于所述短路杆和所述栅极线层上的钝化层;其特征在于,
还包括:横跨所述短路杆和栅极线层交界处的通孔,所述通孔的内表面 暴露出短路杆、栅极线层、以及所述介质层;
在所述通孔内表面覆盖的短路电极线,所述短路电极线将所述栅极线层 和所述短路杆电性连接。
11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述栅 极线层和所述介质层的界面,与所述通孔内暴露出的栅极线层侧面的夹角为 锐角或直角。
12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述夹 角为45度至60度。
13.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:
提供衬底,所述衬底上具有相互交叉且中间具有介质层的栅极线层和数 据线层,与所述数据线交叉且与所述数据线层之间具有介质层的短路杆,所 述短路杆与所述数据线层之间的隔离绝缘的介质层,覆盖于所述短路杆和所 述数据线层上的钝化层;
在所述钝化层上形成光刻胶层,所述光刻胶层中具有横跨短路杆和数据 线交界处的通孔的图案;
以所述光刻胶层为掩膜对所述钝化层进行刻蚀,在所述钝化层中形成所 述通孔,以暴露出所述短路杆、数据线层、以及介质层;
在所述通孔表面沉积短路电极线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





