[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910046027.3 申请日: 2009-02-05
公开(公告)号: CN101800227A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 周刚;方永学;黄长虹 申请(专利权)人: 上海天马微电子有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/52;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/136
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李丽
地址: 201201 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管阵列基板,包括:

衬底;

所述衬底上的相互交叉且中间具有介质层的栅极线层和数据线层;

位于所述衬底上非显示区域内的、与所述数据线层交叉且与所述数据线 层之间具有介质层的短路杆,所述短路杆与所述栅极线层位于同一层;

所述短路杆与所述数据线层之间的隔离绝缘的介质层;

覆盖于所述短路杆和所述数据线层上的钝化层;其特征在于,

还包括:横跨所述短路杆和数据线层交界处的通孔,所述通孔的内表面 暴露出短路杆、数据线层、以及所述介质层;

在所述通孔的表面覆盖的短路电极线,所述短路电极线将所述数据线层 和所述短路杆电性连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述数据 线层和所述介质层的界面,与所述通孔内暴露出的数据线层侧面的夹角为锐 角或直角。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述夹角 为45度至60度。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述通孔 平行于衬底方向的形状为哑铃形。

5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述通孔 的宽度小于所述短路电极线的宽度。

6.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述短路 电极线的宽度大于所述短路杆的宽度。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述短路 电极线与所述短路杆的宽度差小于或等于2微米。

8.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述短路 杆与所述数据线层中的至少两条数据线交叠,每一交叠处的所述通孔上均覆 盖有短路电极线,各个短路电极线均相互连接。

9.根据权利要求1至8任一项所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于, 所述短路电极线包括透明导电材料。

10.一种薄膜晶体管阵列基板,包括:

衬底;

所述衬底上的相互交叉且中间具有介质层的栅极线层和数据线层;

位于所述衬底上非显示区域内的、与所述栅极线层交叉且与所述栅极线 层之间具有介质层的短路杆,所述短路杆与所述数据线层位于同一层;

所述短路杆与所述栅极线层之间的隔离绝缘的介质层;

覆盖于所述短路杆和所述栅极线层上的钝化层;其特征在于,

还包括:横跨所述短路杆和栅极线层交界处的通孔,所述通孔的内表面 暴露出短路杆、栅极线层、以及所述介质层;

在所述通孔内表面覆盖的短路电极线,所述短路电极线将所述栅极线层 和所述短路杆电性连接。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述栅 极线层和所述介质层的界面,与所述通孔内暴露出的栅极线层侧面的夹角为 锐角或直角。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述夹 角为45度至60度。

13.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:

提供衬底,所述衬底上具有相互交叉且中间具有介质层的栅极线层和数 据线层,与所述数据线交叉且与所述数据线层之间具有介质层的短路杆,所 述短路杆与所述数据线层之间的隔离绝缘的介质层,覆盖于所述短路杆和所 述数据线层上的钝化层;

在所述钝化层上形成光刻胶层,所述光刻胶层中具有横跨短路杆和数据 线交界处的通孔的图案;

以所述光刻胶层为掩膜对所述钝化层进行刻蚀,在所述钝化层中形成所 述通孔,以暴露出所述短路杆、数据线层、以及介质层;

在所述通孔表面沉积短路电极线。

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