[发明专利]通过激光焊封制备石英晶体器件的方法有效
申请号: | 200910042243.0 | 申请日: | 2009-08-31 |
公开(公告)号: | CN101651450A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 黎柏其;吴崇隽;雷云燕;苏方宁 | 申请(专利权)人: | 珠海粤科京华电子陶瓷有限公司 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H3/08 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 黄玉珏 |
地址: | 519080广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 激光 制备 石英 晶体 器件 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电学领域的基本元器件,具体涉及可用作谐振器、振荡器、声表 面波器等的石英晶体器件的制备方法。
背景技术
随着电子产品朝着便携式、小型化、网络化和多媒体化方向发展,石英晶 体器件的需求量出现两位数的增长,石英晶体及其陶瓷封装基座尺寸也越来越 小。
传统的石英晶体器件的生产过程主要包括:将石英晶体设置在陶瓷封装基 座内部,在陶瓷封装基座上形成可伐合金环(可伐合金也称Kovar合金,主要 适用于电器元件与硬玻璃、软玻璃、陶瓷匹配封接的玻封合金),然后上面覆盖 金属盖,通过电阻焊,经过滚压金属盖边缘,将金属盖与陶瓷封装基座焊接在 一起。由于是通过滚压边的电阻焊接实现封装,其金属盖容易变形走位,特别 是对于小尺寸的陶瓷封装基座,精确定位焊接极度困难,且焊接后气密性不好, 生产成本一直居高不下。现有生产技术使得石英晶体器件的产量及小型化也受 到限制,远远不能满足于日益增长的市场需求。因此,突破现有小尺寸陶瓷封 装基座与金属盖封装上的技术困难,寻找一种新的制造方法已迫在眉睫。
发明内容
本发明的目的是解决现有技术针对小尺寸陶瓷封装基座焊封困难,以及焊 封金属盖质量差、效率低的缺陷。
上述目的由以下技术方案予以实现:
一种通过激光焊封制备石英晶体器件的方法,包括:(1)提供内部设置石 英晶体的陶瓷封装基座的步骤;(2)环绕陶瓷封装基座上端开口形成可伐合金 环的步骤;(3)将金属盖与可伐合金环焊接从而将所述陶瓷封装基座封装的步 骤;其特征在于,步骤(3)具体包括:a.将金属盖置于可伐合金环上,b.将 经上述步骤后的半成品置于充满惰性气体的密闭透明空间内;c.提供激光束, 利用激光束将金属盖与可伐合金环密封焊接。
所述步骤(2)中,在陶瓷封装基座上设置金属环的具体方法为:环绕所述 陶瓷封装基座上端开口印刷钨金属层镀镍或金,然后放置银铜焊料并在850±20 ℃还原气氛下焊接冲压得到的可伐合金环。
所述激光束由CO2激光器或YAG激光器提供,并且经过棱镜聚焦。
本发明与现有技术相比具有以下优点:本发明针对陶瓷封装基座与金属盖 的气封封装,采用非接触远距离的激光焊接技术,生产效率大大提高,热影响 区小,焊点无污染,大大提高了焊接的质量,避免了传统的电阻焊金属盖变形 走位问题。本发明的封装方法生产效率高,焊接速度快、深度大、变形小,特 别适用于小尺寸微型焊接,适合大规模生产。其意义在于提高生产效率、降低 生产成本,更大地满足日益增长的市场需求。
附图说明
图1是实施例一生产的石英晶体器件的分解示意图;
图2是实施例一生产的石英晶体器件的成品的示意图;
图3是实施例二生产的石英晶体器件的分解示意图;
图4是实施例二生产的石英晶体器件的成品的示意图;
图5是将石英晶体器件置于密闭透明空间内进行激光封焊的示意图。
具体实施方式
下面将结合实施例及附图对本发明作进一步的详细说明。
实施例一:
结合图1及图2所示,环绕陶瓷封装基座8上端开口印刷钨金属层镀镍或 金,然后放置银铜焊料7并在850±20℃还原气氛下焊接冲压得到的可伐合金环 6,之后在可伐合金环6上方盖上金属盖5;结合图5所示,将经上述步骤后的 半成品3置于充满氮气或氩气等惰性气体的密闭透明空间4中,激光源20选用 CO2激光器或YAG激光器,激光束1通过棱镜2聚焦后,对金属盖5和可伐合 金环6进行激光焊接,从而将石英晶体封装在由陶瓷封装基座8、银铜焊料7、 可伐合金环6及金属盖5构成的四层结构内,形成一个石英晶体器件9(如图2 所示)。
实施例二:
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