[发明专利]抗氧化防电子辐射真空镀膜方法

权利要求书

1.抗氧化防电子辐射真空镀膜方法，其特征在于：它包括以 下步骤：

步骤一：底漆喷涂：将按照配合基准配合好的油漆注入喷枪内， 将油漆喷涂到产品镀膜的面上，将两面镀膜完成的产品放入烤箱烘 烤；

步骤二：真空镀膜：镀膜前，在真空镀膜机内加膜料，将烘烤 干燥好的产品放入转盘滚筒的夹具上，并移动到真空镀膜机内，进 行镀膜；真空镀膜一共包括五个工艺：第一次溅射Ni镀膜；第一次 蒸发Cu镀膜；第二次蒸发Ag镀膜；第二次溅射Ni镀膜；第三次 溅射Ni镀膜。

2.根据权利要求1所述的抗氧化防电子辐射真空镀膜方法， 其特征在于：所述的步骤一的喷枪气压为3.0±0.5kgf/cm²，喷枪距 产品表面14cm-6cm的高度，以45°-75°的角度喷涂，底漆喷涂的 膜厚为8±1um。

3.根据权利要求1所述的抗氧化防电子辐射真空镀膜方法， 其特征在于：所述的步骤一的底漆喷涂在温度15℃-30℃、湿度15 ％-80％的环境下进行，烤箱温度为80±5℃，烘烤时间为60min。

4.根据权利要求1所述的抗氧化防电子辐射真空镀膜方法， 其特征在于：所述的步骤二的真空镀膜在温度20℃-35℃、湿度65 ±20％的环境下进行，真空镀膜前镀膜机镀膜真空室的真空度为6.0 ×10^-5torr。

5.根据权利要求1所述的抗氧化防电子辐射真空镀膜方法， 其特征在于：所述的步骤二的第一次溅射Ni镀膜的工艺条件为：氩 气流量为200ml，镀膜功率为7KW，真空度为3.0×10^-3torr条件下， 溅射镀膜70s。

6.根据权利要求1所述的抗氧化防电子辐射真空镀膜方法， 其特征在于：所述的步骤二的第一次蒸发Cu镀膜的工艺条件为：采 用铜Cu作为镀膜材料，将材料制成重量为54g，长度为5cm的铜丝， 将铜丝放在钼舟内，镀膜前延时60s，在450A电流下预热40s，650A 电流下蒸发镀膜200s，镀膜真空度为6.0×10^-5torr。

7.根据权利要求1所述的抗氧化防电子辐射真空镀膜方法， 其特征在于：所述的步骤二的第二次蒸发A g镀膜的工艺条件为：采 用银Ag作为镀膜材料，将材料制成重量为34g，长度为5cm的银丝， 将银丝放在钼舟内，镀膜前延时60s，在450A电流下预热40s，650A 电流下蒸发镀膜200s，镀膜真空度为6.0×10^-5torr。

8.根据权利要求1所述的抗氧化防电子辐射真空镀膜方法， 其特征在于：所述的步骤二的第二次溅射N i镀膜的工艺条件为：镀 膜前延时120s，氩气流量为200ml，镀膜功率为17KW、真空度为3.0 ×10^-3torr，溅射镀膜240s。

9.根据权利要求1所述的抗氧化防电子辐射真空镀膜方法， 其特征在于：所述的步骤二的第三次溅射N i镀膜工艺条件为：镀膜 前延时120s，氩气流量为200ml，镀膜功率为17KW、真空度为3.0 ×10^-3torr，溅射镀膜240s。

10.根据权利要求1所述的抗氧化防电子辐射真空镀膜方法， 其特征在于：所述的步骤二的真空镀膜的膜厚为1±0.5um。