[发明专利]电子引线框架用铜合金异型铜带的生产方法无效
| 申请号： | 200910035703.7 | 申请日： | 2009-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101783300A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 芮建方 | 申请（专利权）人： | 常州金方圆铜业有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;B21B27/02;B21C23/00 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 何学成 |
| 地址： | 213126 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 引线 框架 铜合金 异型 生产 方法 | ||
【权利要求书】：
1.电子引线框架用铜合金异型铜带的生产方法，其特征在于，其工艺流程为：铜合金坯料→熔炼→铸锭→加热→水封挤压→成型→孔型轧制→光亮退火→剪切；所述的铜合金坯料，按重量百分比计选用：Fe：0.05～0.15％；P：0.015～0.04％；Cu：余量；所述的加热即达到坯料的挤出温度。
2.根据权利要求1所述的电子引线框架用铜合金异型铜带的生产方法，其特征在于，所述的挤压温度为：850～900℃。
3.根据权利要求1所述的电子引线框架用铜合金异型铜带的生产方法，其特征在于，所述的光亮退火温度为：450～550℃。
4.根据权利要求1所述的电子引线框架用铜合金异型铜带的生产方法，其特征在于：所述的孔型轧制后进行光亮退火，这个过程反复四次。
5.根据权利要求1所述的电子引线框架用铜合金异型铜带的生产方法，其特征在于：所述的孔型轧制选用“T”型结构的轧辊，轧制出“T”型结构的铜合金异型铜带。
6.根据权利要求1所述的电子引线框架用铜合金异型铜带的生产方法，其特征在于：所述的孔型轧制选用“U”型结构的轧辊，轧制出“U”型结构的铜合金异型铜带。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州金方圆铜业有限公司，未经常州金方圆铜业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910035703.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
