[发明专利]整流电路引线框架铜带及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及金属加工技术领域，特别是一种大功率整流电路引线框架铜带及其制作方法。

背景技术

大功率整流电路(KFC)用引线框架铜带是在IC集成电路引线框架铜带基础上，根据不同集成电路对导电率指标的不同要求，综合力学性能指标要求的不同，而研究和开发的系列铜合金引线框架铜带，国内替代进口产品的一种不断升级的产品。目前，正在向着高强度、高导电率要求方向发展，因而势必对铜基框架材料的综合适用条件提出更高要求，在保证一定导电率的前提下，提高合金强度和综合力学指标是各生产企业和研究开发人员所面临的紧迫问题。引线框架用的铜带是集成电路的重要基础材料。铜-铁-磷系合金是具有代表性的高导电引线框架之一。目前国内的铸坯方法是半连续铸造成铜锭，淬水后，再热轧开坯的。在半连续铸造中，炉子与炉头、结晶器之间无法密封，浇铸时吸气、夹杂、夹渣严重，产品含氧量高、表面造渣严重，能耗大、成品率低，生产成本高。

发明内容

本发明的目的是提供一种导电率高以及延伸率好的整流电路引线框架铜带，同时本发明的铜带还具有强度以及维氏硬度高的优点。

实现本发明采目的的技术方案如下：

整流电路引线框架铜带，该引线框架铜带中各种材料的组份为：铜材料为96.1％-98.85％，铁为1.0％-3.5％，磷为0.1％-1.0％，镍为0.01％-0.03％，以及不可避免的极少量的其他杂质元素，该杂质元素包括：镁、铝、锌，其中镁的组份为0.001％-0.005％，铝的组份为0.001％-0.05％，锌的组份为0.005％-0.01％；引线框架铜带的导电率为90.0％IASC，强度为360-400Mpa，延伸率≥8％，维氏硬度HV110-125。

根据得到的引线框架铜带的导电率为90.0％IASC，强度为360-400Mpa，延伸率≥8％，维氏硬度HV110-125，本发明的铜带与现有的铜带相比，具有延伸率好以及导电率高等优点，使其具有优越于理有铜带的性能。

本发明的另一目的是提供了一种能够降低生产成本、保证质量和技术性能指标以及满足集成电路生产企业要求的整流电路引线框架铜带制作方法。实施该目的的技术方案如下：

整流电路引线框架铜带制作方法：采用无氧熔铸——水封热挤压——高精轧制——反复分级时效——精密分剪——成品卷取而成，其中的无氧熔铸的温度为1200-1250℃，水封热挤压是在800-850℃的挤压装置中进行热挤压处理，并在线淬水进行固溶处理。

采用本发明的方法制作铜带，不但工艺简单，降低生产成本，而且还保证了铜带的质量和相关技术性能指标，满足了集成电路生产企业的要求。本发明的方法中采用了精密分剪——成品卷取，使铜带具有良好的形状和表面质量。

附图说明

图1为本发明的工艺流程图。

具体实施方式

实施例一

制作规格为0.38mm(厚度)×65.8mm(宽度)的整流电路引线框架铜带，将2％的铁，0.75％的磷，0.03％的镍，以及97.2％的铜，0.005％的镁，0.005％的铝，0.01％的锌，分别按比例称重，投入到感应炉内。将炉温升至1220℃进行无氧熔铸，待金属完全熔化后，经充分搅拌后，作炉前化学分析，合格后浇注成锭坯。将锭坯进行水封热挤压处理，水封热挤压的温度为820℃淬水，并在线用常温水淬水进行固溶处理。采用高精轧制——反复分级时效反复进行，高精轧制后进行500℃时效4小时，再经高精轧制，再次500℃时效4小时，充分分级时效析出。经过精密分剪，并将成品铜带进行检测，铜带材料强度为400Mpa，延伸率为8％，维氏硬度为HV120，导电率为90％IASC，完全可以满足大功率整流电路生产企业对引线框架铜带的合理要求。合格成品卷曲后入库。

实施例2

制作规格为0.38mm(厚度)×65.8mm(宽度)的整流电路引线框架铜带，将2.56％的铁，0.9％的磷，0.02％的镍，以及96.5％的铜，0.005％的镁，0.005％的铝，0.01％的锌，分别按比例称重，投入到感应炉内。将炉温升至1240℃进行无氧熔铸，待金属完全熔化后，经充分搅拌后，作炉前化学分析，合格后浇注成锭坯。将锭坯进行水封热挤压处理，水封热挤压的温度为830℃，并在线用常温水淬水进行固溶处理。采用高精轧制——反复分级时效反复进行，高精轧制后进行500℃时效4小时，再经高精轧制，再次500℃时效4小时，充分分级时效析出，消除铜带内的残余应力。经过精密分剪，并将成品铜带进行检测，铜带材料强度为390Mpa，延伸率为8％，维氏硬度为HV115，导电率为90％IASC，完全可以满足大功率整流电路生产企业对引线框架铜带的合理要求。合格成品卷曲后入库。