[发明专利]锂电池充放电保护芯片中的输出驱动电路

权利要求书

1.一种锂电池充放电保护芯片中的输出驱动电路，包括增强型PMOS晶体管M1、增强型PMOS晶体管M3、增强型PMOS晶体管M5、增强型PMOS晶体管M7、增强型NMOS晶体管M4、增强型NMOS晶体管M6、增强型NMOS晶体管M8、电阻R1、电阻R2、电阻R3，其特征在于：还包括一个耗尽型NMOS晶体管M2，增强型PMOS晶体管M3、增强型NMOS晶体管M4以及电阻R2组成第二级反相器，增强型PMOS晶体管M5、增强型NMOS晶体管M6以及电阻R3组成第三级反相器，增强型PMOS晶体管M7、增强型NMOS晶体管M8组成第四级反相器，增强型PMOS晶体管M1、电阻R1、耗尽型NMOS晶体管M2组成电平转换电路，电平转换电路的输入端为COUT_1，输出端COUT_2连接在增强型PMOS晶体管M1的漏极与电阻R1之间；增强型PMOS晶体管M1的源极连接正电源VDD，栅极连接电路的输入端COUT_1，漏极连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接耗尽型NMOS晶体管M2的漏极，耗尽型NMOS晶体管M2的栅极和源极短接并连接到负电源VM；流过增强型PMOS晶体管M1和耗尽型NMOS晶体管M2的电流由耗尽型NMOS晶体管M2决定，该电流应当使COUT_1为低电平GND时，增强型PMOS晶体管M1工作在线形区。