[发明专利]一种制备硼碳氮硬质涂层的方法无效
| 申请号: | 200910021767.1 | 申请日: | 2009-03-31 |
| 公开(公告)号: | CN101525734A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
| 发明(设计)人: | 马胜利;陈向阳 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
| 主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/02 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 陆万寿 |
| 地址: | 710049陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 制备 硼碳氮 硬质 涂层 方法 | ||
1.一种制备硼碳氮硬质涂层的方法,其特征在于,该方法包括下列步骤:
一、基体预处理:将基体表面除油、抛光、丙酮超声清洗后烘干;
二、将预处理好的基体放入电弧增强磁控溅射离子镀膜设备的转架杆(4)上面,转架杆(4)固定在台架(2)上,转架杆(4)自转,柱弧Ti靶(7)作为Ti源,平面B4C靶(5)作为硼和碳元素的来源,采用平面对靶的方式将平面B4C靶(5)安置在炉体内壁上;
三、通入氩气到真空室(1),对真空室和预处理好的基体进行清洗;
四、清洗完成后,调节氩气流量到16~22ml/min、将真空室(1)气压调至0.29~0.32Pa,然后开启柱弧Ti靶(7),柱弧电流50A,调整偏压到-450V并保持3min,在基体表面镀Ti基层,然后通入N2,流量由0ml/min加到6~8ml/min,柱弧Ti靶(7)电流不变,基体偏压调至-150~-250V,保持3min,在Ti基层上镀TiN过渡层,在该TiN过渡层形成后,打开平面B4C靶(5)的控制电源,将平面B4C靶(5)的电源功率在20min内调至1.8KW,并将柱弧Ti靶(7)的电流从50A减小到0A,在TiN过渡层上制备TiBCN过渡层;然后保持平面B4C靶(5)的功率1.8KW不变,在TiBCN过渡层上制备硼碳氮硬质涂层,镀膜过程中真空室温度为230℃、基体偏压-150~-250V,镀膜时间为90min。
2.根据权利要求1所述的一种制备硼碳氮硬质涂层的方法,其特征在于:所述步骤三中的清洗过程是以20ml/min的流量通入氩气到炉内真空室(1)内,当真空室气压达到5~7Pa并稳定时,调偏压至-800~-1000V对真空室(1)和基体表面进行轰击清洗,清洗30min;然后开启柱弧Ti靶(7)、柱弧电流50A,利用电弧进一步对真空室(1)和基体轰击清洗,清洗5min。
3.根据权利要求1所述的一种制备硼碳氮硬质涂层的方法,其特征在于:所述基体为高速钢。
4.根据权利要求1所述的一种制备硼碳氮硬质涂层的方法,其特征在于:
所述步骤四中,清洗完成后,调节氩气流量到18~20ml/min、将真空室(1)气压调至0.30~0.31Pa,然后开启柱弧Ti靶(7),柱弧电流50A,调整偏压到-450V并保持3min,在基体表面镀Ti基层,然后通入N2,流量由0ml/min加到7ml/min,柱弧Ti靶(7)电流不变,基体偏压调至-180~-230V,保持3min,在Ti基层上镀TiN过渡层,在该TiN过渡层形成后,打开平面B4C靶(5)的控制电源,将平面B4C靶(5)的电源功率在20min内调至1.8KW,并将柱弧Ti靶(7)的电流从50A减小到OA,在TiN过渡层上制备TiBCN过渡层;然后保持平面B4C靶(5)的功率1.8KW不变,在TiBCN过渡层上制备硼碳氮硬质涂层,镀膜过程中真空室温度为230℃、基体偏压-180~-230V,镀膜时间为90min。
5.根据权利要求1所述的一种制备硼碳氮硬质涂层的方法,其特征在于:所述硼碳氮硬质涂层为纳米晶和非晶组成的复合结构,纳米晶以立方氮化硼相为主,涂层光滑致密,涂层中sp3 B-N键摩尔含量在60%以上,涂层的硬度为32GPa,膜基结合力为45N,涂层厚度为2μm。
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