[发明专利]O’-Sialon/AIN复合粉体的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910011726.4 申请日: 2009-05-27
公开(公告)号: CN101560100A 公开(公告)日: 2009-10-21
发明(设计)人: 马北越;翟玉春;申晓毅 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: C04B35/622 分类号: C04B35/622;C04B35/599;C04B35/582;B09B3/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 110004辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: sialon ain 复合 制备 方法
【权利要求书】:

1、一种O’-Sialon/AlN复合粉体的制备方法,以粉煤灰和含碳材料为原料,通过碳热还原氮化反应工艺制备O’-Sialon/AlN复合粉体。其特征在于:

a.原料的破碎和筛分:对粉煤灰进行破碎,并过200目的标准筛,取筛下料;

b.磁选:用磁铁对筛分后的粉煤灰进行磁选;

c.配料和混匀:称量60~80wt%的粉煤灰和20~40wt%的含碳材料,置于球磨罐中,以无水乙醇为介质混合成料浆,并充分混匀;

d.干燥和干混:将湿混后的料浆于40~80℃的温度下充分干燥,并将干燥后的试料再充分干混;

e.成型和高温烧成:将干混后的试料以10~30MPa的压力压制成型,保压1~20min;将压制好的素坯置于MoSi2电阻炉恒温带中,在常压下先升温至1000~1300℃并保温4~10h,升温速率为3~5℃/min,再升温至1350~1550℃并保温4~10h,升温速率为3~5℃/min,烧成过程中N2流量为400~1000ml/min;

f.残碳去除:将上述合成后的粉体在500~800℃空气中氧化2~8h,去除残余的碳,即得产物。

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