[发明专利]在沉积工艺期间在硅棒中产生均匀温度分布的装置和方法

权利要求书

1.一种用于在根据Siemens方法的硅沉积期间为至少一个硅棒 (3)供电的装置，其中所述装置：

-具有至少一个输入端(E)，其中所述至少一个输入端适于并被 设置为将所述装置连接到用于提供电能的供电网(N)，

-具有至少一个输出端(A)，其中所述至少一个硅棒(3)可连 接到所述至少一个输出端，

-具有至少一个交流电调节器(1)，其中所述至少一个交流电调 节器适于并被设置为向所述至少一个连接到所述至少一个输出端 (A)的硅棒(3)提供来自所述供电网(N)的电流，

其特征在于，

-所述装置还具有至少一个频率转换器(2)，其中所述至少一个 频率转换器适于并被设置为向所述至少一个连接到所述至少一个输出 端(A)的硅棒(3)提供频率比由所述交流电调节器(1)所提供的 电流的频率高的来自所述供电网(N)的电流，所述硅棒(3)被同 时提供低频电压和中频或高频电压。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置在所述装 置的所述至少一个输出端(A)处可提供由不同频率的电压分量混合 而成的电压。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述装置具有节 点，其中在所述节点处，由所述交流电调节器(1)和所述频率转换 器(2)所提供的电压可结合，以混合可在所述输出端处提供的电 压。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其特征在于，所述 至少一个交流电调节器(1)的输出端、所述至少一个频率转换器 (2)的输出端以及所述装置的可连接硅棒的输出端电气地串联设 置。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其特征在于，在所 述至少一个交流电调节器(1)和所述输出端(A)之间电气地设置 第一去耦装置(4)，用于将所述至少一个交流电调节器(1)与所述 至少一个频率转换器(2)去耦，并且在所述至少一个频率转换器 (2)和所述输出端(A)之间电气地设置第二去耦装置(5)，用于 将所述至少一个频率转换器(2)与所述至少一个交流电调节器(1) 去耦。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，由所述至少一个交 流电调节器(1)和所述第一去耦装置(4)构成的结构以及由所述至 少一个频率转换器(2)和所述第二去耦装置(5)构成的结构电气地 并联设置。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其特征在于，所述 装置针对每个硅棒(3a，3b)具有至少一对输出端，并且所述装置具 有至少一对频率转换器(2a，2b)，其中频率转换器对对应于输出端 对。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，一对输出端的两个 输出端中每个输出端都与这对频率转换器(2a，2b)中一个频率转换 器(2a，2b)的输出端连接。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，一对频率转换器 (2a，2b)的两个频率转换器(2a，2b)至少就其电输出量而言是 相同的。

10.根据权利要求8或9所述的装置，其特征在于，一对频率转 换器中每个频率转换器(2a，2b)都具有输出端，而且一对频率转换 器(2a，2b)的输出端形成链，其中在所述链中，所述频率转换器 (2a，2b)的输出端反相链接。

11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述链具有第一 外部端子(K1)、中间端子(K2)和第二外部端子(K3)，其中这 对频率转换器(2a，2b)中第一频率转换器(2a)的输出端与所述第 一外部端子(K1)和所述中间端子(K2)连接，这对频率转换器 (2a，2b)中第二频率转换器(2b)的输出端与所述中间端子 (K2)和所述第二外部端子(K3)连接。

12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述交流电调节 器(1)的输出端与所述第一外部端子(K1)和所述第二外部端子 (K3)连接。