[发明专利]无机EL蓝色发光体及其制造方法、以及发光装置无效

专利信息
申请号: 200910008065.X 申请日: 2009-02-20
公开(公告)号: CN101516145A 公开(公告)日: 2009-08-26
发明(设计)人: 伊藤俊一;坂田淳一郎 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H05B33/10 分类号: H05B33/10;H05B33/14;C09K11/08;C09K11/56
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 柯广华;王丹昕
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 无机 el 蓝色 发光体 及其 制造 方法 以及 发光 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及无机EL蓝色发光体的制造方法、以及使用无机EL蓝色发光体的发光装置。

背景技术

长期以来对将电致发光(Electro Luminescence)应用于面光源(背光灯)或图像显示装置(显示器)的开发不断进展,其中有很多是对EL材料或EL元件的结构的研究。

EL元件可以大致分为无机EL元件和有机EL元件,其中主要使用有机EL材料而形成并使用直流驱动的EL元件为有机EL元件,而主要使用无机EL材料而形成并使用交流驱动的EL元件为无机EL元件。

作为用于无机EL元件的无机El材料,显示蓝色发光的发光体的包含BaAl2S4的发光体是公知的。这是将用作发光中心的铕(Eu)添加到由BaAl2S4表示的母体材料中而获得的发光体(BaAl2S4:Eu)(例如,参照非专利文献1:Noboru Miura和其他人,J.Appl.Phys.Vol.38,L1291-L1292(1999))。

除此之外,具有ZnS的发光体也是公知的(例如,参照专利文献1:日本专利申请公开H07-157759号公报)。并且已知通过对具有ZnS的发光体中添加铜(Cu)而获得的发光体(ZnS:Cu)的发光为能够在450nm至550nm的波长区域获得宽的发光峰值的蓝绿色发光。

另外,已知通过对ZnS添加银(Ag)而获得的发光体(ZnS:Ag)(例如,参照非专利文献2:Su-Hua Yang和Meiso Yokoyama,J.Appl.Phys.Vol.41,L5609-L5613(2002))的发光为比通过添加铜(Cu)而获得的发光体(ZnS:Cu)的发光可以获得短波长且尖角的发光峰值的蓝色发光。

由此,通过添加银(Ag)而获得的发光体(ZnS:Ag)由于其颜色纯度好所以在应用到无机EL元件中的方面被认为很有前途。另一方面,通过添加银(Ag)而获得的发光体(ZnS:Ag)虽然在紫外线激活或电子线激活的情况下显示强度大的发光,但是在电场激活的情况下几乎不显示发光,因而,在现阶段其不能作为用于无机EL元件的蓝色发光体而使用。

发明内容

于是,发明的目的在于制造在电场激活的情况下显示蓝色发光的发光体(蓝色发光体),即可以应用于无机EL元件的蓝色发光体,并且减少其发光亮度的变化对色度坐标的影响。另外,发明的目的还在于提高显示在具有无机EL元件的发光装置上的图像的再现性、以及实现不容易受到亮度变化的影响的稳定的显示。

根据本发明的一个方式的无机EL蓝色发光体的制造方法,通过至少混合硫化物发光体及稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS:注意,M为稀土金属),并且在600℃以上且1000℃以下的温度下对所获得的混合物进行焙烧,而可以在硫化物发光体的一部分中包含稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS)。

另外,本发明还可以包括如下结构,即在上述结构中对硫化物发光体及稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS:注意,M为稀土金属)添加添加剂并混合。

另外,在上述结构中,硫化物发光体为选自ZnS:Ag,Cl、ZnS:Au,Cl、CdS:Ag,Cl、CdS:Au,Cl、CaS:Ag,Cl、CaS:Au,Cl中的任一种。

另外,在上述结构中,添加剂为可以在酸性溶液中溶解的金属氧化物,具体而言,添加剂为选自氧化锌(ZnO)、氧化镁(MgO)、氧化镧(La2O3)中的任一种。

另外,在上述结构中,稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS)为选自镧-铜氧硫属化合物(LaCuOS)、铈-铜氧硫属化合物(CeCuOS)、钪-铜氧硫属化合物(ScCuOS)、钇-铜氧硫属化合物(YCuOS)中的任一种。

另外,在上述结构中,在添加添加剂的情况下,添加剂的添加浓度为所述硫化物发光体的0.1wt%以上且20wt%以下。

另外,在上述各个结构中,稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS)的添加浓度为硫化物发光体的1wt%以上且5wt%以下。

另外,本发明的另一方式为在由组成公式ZnS:Ag,Cl表示的硫化物发光体的一部分中包含稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS:注意,M为稀土金属)的无机EL蓝色发光体。

另外,上述结构中的硫化物发光体在400nm以上且500nm以下的波长区域具有发光峰值。

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