[发明专利]无机EL蓝色发光体及其制造方法、以及发光装置无效
| 申请号: | 200910008065.X | 申请日: | 2009-02-20 |
| 公开(公告)号: | CN101516145A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
| 发明(设计)人: | 伊藤俊一;坂田淳一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H05B33/10 | 分类号: | H05B33/10;H05B33/14;C09K11/08;C09K11/56 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 柯广华;王丹昕 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 无机 el 蓝色 发光体 及其 制造 方法 以及 发光 装置 | ||
1.一种无机EL蓝色发光体的制造方法,包括如下步骤:
混合硫化物发光体和稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS:其中,M为稀土金属)以得到混合物;以及
在600℃以上且1000℃以下的温度下对所述混合物进行焙烧以形成包含稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS)的硫化物发光体。
2.根据权利要求1所述的无机EL蓝色发光体的制造方法,其中所述硫化物发光体为选自ZnS:Ag,Cl、ZnS:Au,Cl、CdS:Ag,Cl、CdS:Au,Cl、CaS:Ag,Cl、CaS:Au,Cl中的任一种。
3.根据权利要求1所述的无机EL蓝色发光体的制造方法,其中所述稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS)为选自镧-铜氧硫属化合物(LaCuOS)、铈-铜氧硫属化合物(CeCuOS)、钪-铜氧硫属化合物(ScCuOS)、钇-铜氧硫属化合物(YCuOS)中的任一种。
4.根据权利要求1所述的无机EL蓝色发光体的制造方法,其中添加的所述稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS)的浓度为所述硫化物发光体的1wt%以上且5wt%以下。
5.一种无机EL蓝色发光体的制造方法,包括如下步骤:
混合硫化物发光体、添加剂、以及稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS:其中,M为稀土金属)以得到混合物;以及
在600℃以上且1000℃以下的温度下对所述混合物进行焙烧以形成包含稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS)的硫化物发光体。
6.根据权利要求5所述的无机EL蓝色发光体的制造方法,其中所述硫化物发光体为选自ZnS:Ag,Cl、ZnS:Au,Cl、CdS:Ag,Cl、CdS:Au,Cl、CaS:Ag,Cl、CaS:Au,Cl中的任一种。
7.根据权利要求5所述的无机EL蓝色发光体的制造方法,其中所述稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS)为选自镧-铜氧硫属化合物(LaCuOS)、铈-铜氧硫属化合物(CeCuOS)、钪-铜氧硫属化合物(ScCuOS)、钇-铜氧硫属化合物(YCuOS)中的任一种。
8.根据权利要求5所述的无机EL蓝色发光体的制造方法,其中添加的所述稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS)的浓度为所述硫化物发光体的1wt%以上且5wt%以下。
9.根据权利要求5所述的无机EL蓝色发光体的制造方法,其中所述添加剂为可以在酸性溶液中溶解的金属氧化物。
10.根据权利要求5所述的无机EL蓝色发光体的制造方法,其中所述添加剂为选自氧化锌(ZnO)、氧化镁(MgO)、氧化镧(La2O3)中的任一种。
11.根据权利要求5所述的无机EL蓝色发光体的制造方法,其中添加的所述添加剂的浓度为所述硫化物发光体的0.1wt%以上且20wt%以下。
12.一种包括由公式ZnS:Ag,Cl表示的包含稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS:其中,M为稀土金属)的硫化物发光体的无机EL蓝色发光体。
13.根据权利要求12所述的无机EL蓝色发光体,其中所述硫化物发光体在400nm以上且500nm以下的波长区域具有发光峰值。
14.一种发光元件,包括:
一对电极之间的无机EL层;以及
所述一对电极的一方和所述无机EL层之间的电解质层,
其中所述无机EL层包括无机EL蓝色发光体,该无机EL蓝色发光体包括由公式ZnS:Ag,Cl表示的包含稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS:其中,M为稀土金属)的硫化物发光体。
15.一种发光装置,包括:
一对电极之间的无机EL层;以及
所述一对电极的一方和所述无机EL层之间的电解质层,
其中所述无机EL层包括无机EL蓝色发光体,该无机EL蓝色发光体包括由公式ZnS:Ag,Cl表示的包含稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS:其中,M为稀土金属)的硫化物发光体。
16.一种电子器具,包括:
一对电极之间的无机EL层;以及
所述一对电极的一方和所述无机EL层之间的电解质层,
其中所述无机EL层包括无机EL蓝色发光体,该无机EL蓝色发光体包括由公式ZnS:Ag,Cl表示的包含稀土-铜氧硫属化合物(MCuOS:其中,M为稀土金属)的硫化物发光体。
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