[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第1导电型半导体基板；

形成在所述半导体基板上部的第2导电型表面降场区；

在所述半导体基板上部、与所述表面降场区相邻形成的第1导电型基区；

在所述基区上、离开所述表面降场区形成的第2导电型发射极/源极区；

在所述基区上、与所述发射极/源极区相邻形成的第1导电型基极连接区；

从所述发射极/源极区上起、在所述基区上和至少所述表面降场区上形成的栅绝缘膜；

在所述栅绝缘膜上形成的栅极；

在所述表面降场区上、离开所述基区形成的第1导电型集电区；和

在所述半导体基板上形成且与所述基极连接区和发射极/源极区电连接的发射极/源极，

所述半导体基板被导入晶格缺陷，使得该半导体基板的电阻值成为由添加在所述半导体基板中的杂质浓度决定的电阻值的2倍以上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

在所述表面降场区上、离开所述基区形成的第2导电型漏极区；和

与所述集电区和漏极区电连接的集电极/漏极。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板的厚度为200μm以上。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述表面降场区和基区与所述半导体基板同样，被导入了晶格缺陷。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

包含所述表面降场区和基区的所述半导体基板的厚度，为205μm以上。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述集电区的杂质浓度比所述基极连接区的杂质浓度低。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含以下工序：

在第1导电型半导体基板的上部，有选择地形成第2导电型表面降场区；

在所述半导体基板上部，与所述表面降场区相邻，形成第1导电型基区；

跨所述表面降场区的一部分和所述基区的一部分的上方，依次叠层并选择性形成栅绝缘膜和栅极；

在所述基区上部，与所述栅极相邻，形成第2导电型发射极/源极区；

在所述基区上部，与所述发射极/源极区相邻，形成第1导电型基极连接区；

在所述表面降场区，离开所述基区，形成第1导电型集电区；

在所述半导体基板上，形成与所述基极连接区以及发射极/源极区电连接的发射极/源极；和

通过对所述半导体基板照射电子射线，向所述半导体基板导入晶格缺陷，使所述半导体基板的电阻值成为由添加在所述半导体基板中的杂质浓度决定的电阻值的2倍以上。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

导入所述晶格缺陷的工序中，从所述半导体基板上的与所述表面降场区相反侧的面照射电子射线。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

还包括：在所述表面降场区，与所述集电区相邻，形成第2导电型漏极区的工序。

10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含以下工序：

在第1导电型半导体基板的上部，有选择地形成第2导电型表面降场区；

在所述半导体基板上部，与所述表面降场区相邻，形成第1导电型基区；

跨所述表面降场区的一部分和所述基区的一部分的上方，依次叠层并选择性形成栅绝缘膜和栅极；

在所述基区上部，与所述栅极相邻，形成第2导电型发射极/源极区；

在所述基区上部，与所述发射极/源极区相邻，形成第1导电型基极连接区；

在所述表面降场区，离开所述基区，形成第1导电型集电区；

在所述半导体基板上，形成与所述基极连接区以及发射极/源极区电连接的发射极/源极；和

通过对所述半导体基板照射质子，向所述半导体基板导入晶格缺陷，使所述半导体基板的电阻值成为由添加在所述半导体基板的杂质浓度决定的电阻值的2倍以上。