[发明专利]具凹穴结构的封装基板及其制作方法有效
| 申请号: | 200910007058.8 | 申请日: | 2009-02-09 |
| 公开(公告)号: | CN101800184A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
| 发明(设计)人: | 陈国庆;陈宗源;简证滨 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/50;H01L21/768;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陶凤波 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具凹穴 结构 封装 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体封装体的制作方法,包含有:
提供包层板,包含第一金属层、第二金属层及中间层,该中间层介于该 第一金属层及该第二金属层之间;
蚀刻部分的该第一金属层,暴露出部分的该中间层并形成金属块体;
将该包层板与第一铜箔基板压合,该第一铜箔基板包含第一绝缘层以及 第一铜箔层;
线路图案化该第一铜箔层,形成第一图案化线路;
线路图案化该第二金属层,形成第二图案化线路,其中该第二图案化线 路包含连接该金属块体的多个倒装接垫;
移除掉该金属块体,形成凹穴结构;
去除位于该凹穴结构内的该中间层;
在该凹穴结构内置入倒装芯片,其有源面朝下,通过锡球与相对应的该 倒装接垫电连接;以及
将填充材料填入该凹穴结构内,密封住该倒装芯片。
2.如权利要求1所述的半导体封装体的制作方法,其中该第一金属层的 厚度大于该第二金属层的厚度。
3.如权利要求1所述的半导体封装体的制作方法,其中另包含有以下步 骤:
在该第一绝缘层中形成多个第一导电通孔。
4.如权利要求1所述的半导体封装体的制作方法,其中另包含有以下步 骤:
在该第一图案化线路上压合第二铜箔基板,其中该第二铜箔基板包含第 二绝缘层以及第二铜箔层,且该第二铜箔基板具有相对应于该金属块体的开 孔;
在该第二绝缘层中形成多个第二导电通孔;以及
线路图案化该第二铜箔层,形成第三图案化线路。
5.一种具凹穴结构的封装基板,包含有:
第一绝缘层;
凹穴结构,位于该第一绝缘层中;
第一图案化线路,位于该第一绝缘层的一面上;
第二图案化线路,相对于该第一图案化线路而位于该第一绝缘层的另一 面上,其中该第二图案化线路包含有多个倒装接垫,位于该凹穴结构的底部, 且部分该第二图案化线路为双层金属结构,该双层金属结构包含铜层以及中 间金属层;以及
多个第一导电通孔,位于该第一绝缘层中,用来电性连接该第一图案化 线路与该第二图案化线路,
其中所述多个倒装接垫的表面低于所述第一绝缘层的下表面。
6.如权利要求5所述的具凹穴结构的封装基板,其中该中间金属层包含 镍或铝。
7.如权利要求5所述的具凹穴结构的封装基板,其中另包含有第二绝缘 层,覆盖该第一图案化线路,以及第三图案化线路,位于该第二绝缘层上。
8.如权利要求7所述的具凹穴结构的封装基板,其中另包含有多个第二 导电通孔,位于该第二绝缘层中,用来电性连接该第一图案化线路与该第三 图案化线路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





