[发明专利]半导体器件及其制造处理方法

权利要求书

1、一种半导体器件，包括：

第一导电类型的衬底；

在所述衬底的多个沟槽中的栅极结构，其中在每个沟槽中，所述栅极结构包含由绝缘材料围绕的导电栅极，所述绝缘材料在所述沟槽的侧壁处具有第一厚度，并且在所述沟槽的底端具有第二厚度，第二厚度大于第一厚度；

邻近于至少一个沟槽的第二导电类型的第一区域，所述第一区域延伸到所述衬底中达第一深度，并包括邻近于所述沟槽的沟道区；

第二导电类型的第二区域，其中所述第二区域包含在变化深度处的一系列注入，所述第二区域处于与所述第一区域电接触，而且所述第二区域延伸到第二深度，该第二深度深于第一深度且浅于所述沟槽；以及

在所述第一区域的顶上的第一导电类型的第三区域，其中在所述导电栅极上的电压控制从所述第三区域通过所述第一区域流向所述衬底的下层部分的电流。

2、如权利要求1所述的半导体器件，其中，最深的注入具有最高的剂量。

3、如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电栅极延伸到深于第一深度且浅于第二深度的深度。

4、一种用于半导体器件的制造处理过程，该处理过程包含：

(a)在第一导电类型的衬底中形成多个沟槽；

(b)在沟槽的底部上沉积氧化层；

(c)在所述沟槽的侧壁上形成栅氧化层，其中所述栅氧化层薄于所述沟槽的底部上的氧化层；

(d)用延伸到第一深度的导电材料填充所述沟槽；

(e)在所述衬底中，在与所述沟槽之间的一个或多个台面相对应的区域中形成第二导电性的主体区域，其中所述主体区域具有第二深度；

(f)在与所述沟槽之间的一个或多个台面相对应的区域中形成第二导电性的箝位区域，其中所述箝位区域具有深于第一深度和深于第二深度但是浅于所述沟槽的第三深度，其中形成所述箝位区域包含在所述衬底中执行分别具有不同剂量和不同深度的多个注入，并且最深的注入的剂量高于较浅的注入的剂量；

(g)形成在所述主体区域之上的第一导电类型的有源区域；以及

(h)提供到所述导电材料、所述有源区域、以及所述衬底的电连接。

5、如权利要求4所述的处理过程，其中，在步骤(e)和(f)之前执行所述步骤(a)。

6、如权利要求4所述的处理过程，其中，在步骤(a)之前执行所述步骤(e)和(f)。

7、如权利要求4所述的处理过程，还包含：图案化所述导电材料以形成覆盖所述衬底的栅极总线。

8、如权利要求7所述的处理过程，其中，形成所述主体区域包含：通过所述栅极总线注入第二杂质类型的掺杂剂。

9、如权利要求7所述的处理过程，其中，形成所述箝位区域包含：通过所述栅极总线注入第二杂质类型的掺杂剂。

10、如权利要求4所述的处理过程，还包含：

从所述衬底的表面中除去导电材料；以及

形成接触所述导电材料并覆盖部分所述衬底的栅极总线，其中，

在从所述衬底的表面中除去导电材料之后并在形成所述栅极总线之前出现所述主体区域和箝位区域的形成。

11、如权利要求4所述的处理过程，其中，每个所述沟槽与一个或多个其它沟槽相交叉。