[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，具备：具有上主面及下主面的半导体衬底， 其特征在于，

上述半导体衬底具备：

第1导电型的漏层，形成在上述上主面；

第2导电型的主基区，以比上述漏层浅的方式在上述漏层中有选 择地形成，并露出于上述上主面；

第2导电型的周边基区，以比上述漏层浅的方式在上述漏层中有 选择地形成，在内部不设第1导电型的半导体区域并露出于上述上主 面；以及

第1导电型的源区，以比上述主基区浅的方式在上述主基区中有 选择地形成，并露出于上述上主面，

上述半导体器件还具备：

第1主电极，连接于上述主基区、上述源区和上述周边基区；

栅电极，在上述主基区上方，隔着栅绝缘膜与夹在上述漏层与上 述源区之间的区域即沟道区相对置；

导电性的栅极焊区，在上述上主面上方，隔着与上述栅绝缘膜不 同的绝缘层，与焊区下漏区相对置，并连接于上述栅电极，其中，上 述焊区下漏区既是上述漏层露出的区域，也是与上述主基区共同夹着 上述周边基区的区域；

第2主电极，连接于上述下主面；以及

导电层，该导电层在比上述栅极焊区更接近上述上主面的位置， 以与上述焊区下漏区相对置的方式埋设在上述绝缘层中，

上述导电层仅与上述栅极焊区电连接，

上述导电层延伸到上述周边基区的上方。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述主基区被分割为多个区域，

上述源区与上述主基区的上述多个区域对应地被分割配置，

上述周边基区具有：

位于上述主基区与上述焊区下漏区之间的部分；和

连接到上述主基区的上述多个区域的每一区域的一端的部分。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，

上述周边基区包括：

环状部分，该环状部分沿着位于上述上主面上方的上述栅极焊区 的正下方的区域的外周连续形成。